如何解决调温电路中电位器的耐压问题? 20
有一可控硅电路,一个可控硅、一个电位器、一个双向二极管。电位器外壳接地,在进行电气强度测试时(1250V),电位器被击穿。查阅资料时得知,电位器的电气强度一般在700V以...
有一可控硅电路,一个可控硅、一个电位器、一个双向二极管。电位器外壳接地,在进行电气强度测试时(1250V),电位器被击穿。查阅资料时得知,电位器的电气强度一般在700V以下。请问如何解决调温电路中电位器的耐压问题?
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两个方法:
方法一、电位器外壳不接地(一定要配一个绝缘性极好的旋钮)。缺点:不够安全。
方法二、该电位器实际是当一个可变电阻使用(将中间头与一个边上的头接在一起,相当于一个只有两个头的可变电阻),这个可变电阻的一个头是接双向二极管,对地电位只有20V左右,而中间头是接在高电位处,建议在这个头与高电位处之间加接一个电阻。这样,在中间头对地间的电位就不会太高了。缺点,可控硅的导通角不能调到很大。
方法一、电位器外壳不接地(一定要配一个绝缘性极好的旋钮)。缺点:不够安全。
方法二、该电位器实际是当一个可变电阻使用(将中间头与一个边上的头接在一起,相当于一个只有两个头的可变电阻),这个可变电阻的一个头是接双向二极管,对地电位只有20V左右,而中间头是接在高电位处,建议在这个头与高电位处之间加接一个电阻。这样,在中间头对地间的电位就不会太高了。缺点,可控硅的导通角不能调到很大。
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