怎么判断晶体管工作状态
晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅。
呈现为 Vbe≈0.7V,Vbc《0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定):对于NPN型锗管,Vbe≈0.2V,Vbc《0V;对于 PNP型的晶体三极管,上述电压值的符号相反,即小功率PNP型硅管Vbe≈-0.7V,Vbc》0V,对于小功率 PNP型锗管,Vbe≈-0.2V,Vbc》0V。
如果在检测电路中发现晶体三极管极间电压为上述数值,即可判断该三极管工作在放大区,由该三极管组成的这部分电路为放大电路。
另外,在由晶体管组成的振荡电路中,其三极管也是工作在放大区,但由于三极管的输出经选频谐振回路并同相反 馈到其b、C极之间,使电路起振,那么b、e极之间的电压Ube,对于硅管来说就小于0.7V 了(一般为0.2V左右)。
如果检测出Vbe《0.7V,且用导线短接选频谐振电路中的电感使电路停振时Vbe0.7V,则可判断该电路为振荡电路。
扩展资料
三极管工作在截止区时,发射结与集电结均为反偏,而在实际的电路中,发射结也可以是零偏置。这样 对于小功率NPN型三极管,呈现为Vbe≤0,Vbc《0V(具体数值主要决定于电源电压Ec);对于小功率NPN型三极管。
呈现为 Vbe≥OV,Vbc≥0V,此时的 Vce≈Ec,如果我们检测出电路中晶体三极管间电压为上述情况,则可判断该三极管工作在截止区。
参考资料来源:百度百科-晶体管
你抓住三点:当三极管处于放大状态时,Ic=BIb;如果是截止,则Ic=Ib=0;如果是饱和,则会出现Ic<BIb的情况。在此基础上加上必要的推测(如果三极管导通,不是放大就是饱和),可以解决这类题目。
举个例子:
方法一:
以b图为例,开始先判断是否三极管能导通,现在B点电压是12V,发射极是0V,因此发射结必然导通(发射结只要结电压高于0.7V就导通了)。
此时,Ib=(Ub-Ube)/47K=0.24mA,假定三极管处于放大状态,则有Ic=BIb=40*0.24=9.6mA,而这一电流将在Rc上产生Uc=Ic*Rc=14.4V的压降,而这个电路中电源电压也只有12V,因此假设不成立,三极管导通,但不满足放大状态,可判断为饱和。
方法二:
这个电路中理论上Icmax=12/1.5K=8mA(也就是三极管CE两端电压为0,所有VCC的电压全部加在Rc电阻上),如果是放大状态,按照Ic=BIb,因此可以计算出来Ibmax=0.2mA,而现在的Ib已经达到0.24mA,Ib>Ibmax>0,则可以判断为饱和状态。
还有一些辅助的判断方法,比如在放大状态下,Uce一般大于1V,而如果它小于1V特别是小于0.7V基本上就是标准的饱和了,这个方法可以用在实际电路的判断上。
a图的那题,你也可以用以上方法去判断,我瞄了一眼,不做具体计算,感觉上应该是放大。