晶体三极管和CMOS管的放大原理有什么区别？
1，两者有一个本质的差别，三极管是电流控制电流源。
CMOS是电压控制电流源，所以三极管是电流为控制，CMOS是电压。
2，三极管的结电容小，CMOS的大，所以三极管一般高频特性好。
3，三极管Vce饱和电压0.3V，而CMOS功率管RDS有几个毫欧
故而CMOS功率做的比较大，自身损耗功率小
关于晶体三极管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管，晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
关于CMOS管
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料，由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息的RAM芯片。现在，CMOS制造工艺也被广泛应用于制作数码影像器材的感光元件等方面。
晶体三极管适用于小信号放大，而CMOS管适用于大功率放大和数字电路。
晶体三极管：晶体三极管是一种双极器件，由三个区域组成：发射区、基础区和集电区。它的放大原理是通过控制基极电流来调节集电极电流，从而实现电流放大。晶体三极管具有高增益、高频率响应和高输入阻抗等优点，适用于小信号放大。
CMOS管：CMOS管是一种场效应管，由PN结和金属电极构成。它的放大原理是通过控制栅极电压来改变沟道电阻，从而控制电流的大小。CMOS管能够实现大功率放大和集成电路功能，具有低功耗、高速度和低噪声等优点，适用于大功率放大和数字电路。
CMOS是电压控制电流源，所以三极管是电流为控制，CMOS是电压
2，三极管的结电容小，CMOS的大，所以三极管一般高频特性好
3，三极管Vce饱和电压0.3V，而CMOS功率管RDS有几个毫欧
故而CMOS功率做的比较大，自身损耗功率小
