结构与构造的区别
结构与构造的区别
构造是研究建筑物的构成、各组成部分的组合原理和构造方法的学科。主要任务是根据建筑物的使用功能、技术经济和艺术造型要求提供合理的构造方案，作为建筑设计的依据。通俗讲建筑构造就是房屋构件怎么做，为什么这样做。具体内容里面分墙基础构造，楼面构造，楼梯构造，屋顶构造，门窗构造，还有具体分部构造等，基本就这些了。 具体国家各地还出有专门的建筑构造图集
而结构是指能够承受荷载并且维持几何不变的体系。在建筑中，由若干构件，即组成结构的单元如梁、板、柱等，连线而构成的能承受作用（或称荷载）的平面或空间体系。建筑结构因所用的建筑材料不同，可分为混凝土结构、砌体结构、钢结构、轻型钢结构、木结构和组合结构等。
岩石的结构与构造的区别
岩石结构：岩石中的矿物的结晶程度，颗粒大小，和形状以及彼此间的组合方式叫结构。 (例如岩浆岩有：等粒结构，玻璃质结构等)
岩石构造：岩石中矿物集合体之间或集合体和岩石其他组成部分之间的排列方式以及填充方式叫构造.（岩浆岩的块状构造，沉积岩的层状构造等）
结构说的是细节
构造说的是整体
MOSFET与IGBT每部构造的区别？
有关IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型电晶体，是由BJT（双极型三极体）和MOS（绝缘栅型场效电晶体）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
结构
IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极电晶体结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 （包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极电晶体，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）电晶体提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极 N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
工作特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变数时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 电晶体为宽基区电晶体，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds（on） 可用下式表示
Uds（on） = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩充套件电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示：
Ids=（1+Bpnp）Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
动态特性
IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来执行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 电晶体由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td（on） 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td （on） tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的引数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP电晶体的储存电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td（off）为关断延迟时间，trv为电压Uds（f）的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t（f1）和t（f2）两段组成，而漏极电流的关断时间
t（off）=td（off）+trv十t（f）
式中，td（off）与trv之和又称为储存时间。
IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC 生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
IGBT 原理
方法
IGBT是强电流、高压应用和快速终端装置用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率 MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支援更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
导通
IGBT矽片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间建立了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 空穴电流（双极）。
关断
当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极体的装置上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与晶片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端装置设计上的电流的不理想效应是可行的。
阻断与闩锁
当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩充套件。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。
当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。
IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN闸流体，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。闸流体导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：
当闸流体全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP电晶体的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP电晶体的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。
层状构造和片理构造的区别？
层状构造发育于沉积岩、副变质岩、火山岩中，呈层状。
片理构造是在变质岩区，由强烈变形和变质作用，使片状或板状矿物成定向排列而形成的一种面状构造。是变质岩中特有的构造。
分子构型与分子构造的区别
构造一般都是指有机物的原子连线的方式，构型主要指基团的空间排列不同，特别是立体异构。
结构是用元素符号和短线表示化合物(或单质)分子中原子的排列和结合方式的式子。有机物中构造包括结构式，结构简式、短线构造式、键线构造式、路易斯构造式。其中结构式就是所有原子间都有短线连线的，画起来最复杂。
根和茎异常构造的区别？
双子叶植物根与双子叶植物根茎的异常构造比较
来源：考试大
双子叶植物根常见的异常构造有四点，双子叶植物根茎常见的异常构造有两点。
双子叶植物根常见的异常构造有：
（1）多环性同心环状排列的维管束，如（怀）牛膝、川牛膝、商陆等；
（2）韧皮部维管束，如何首乌，由韧皮部的薄壁细胞恢复分裂能力而形成与原有形成层环成异心性排列的多个环状的形成层，由此形成层的分裂活动产生复合和单个的异心性环状排列的异常维管束；
（3）内涵韧皮部（又称木间韧皮部），如华山参等，即在次生木质部中包埋有次生韧皮部；
（4）木间木栓，如黄芩、秦艽，即在木质部内形成的木栓带，称为木间木栓或内涵周皮。
双子叶植物根茎常见的异常构造有：
①髓维管束，即指位于根茎髓部的维管束，如大黄根茎髓部有多个内韧型异型维管束环列或散在，每个异型维管束的射线细胞内含棕色物质，射线呈星芒状射出，形成药材断面的“星点”；
②内生韧皮部，即指位于木质部里端，在髓部的周围形成各个分离的韧皮部束，如茄科、葫芦科植物等；
③木间木栓，即在次生本质部内形成的木栓带。如甘松根茎中的木间木栓环包围一部分韧皮部和木质部，把维管柱分隔成数个束。
比较根的初生构造和次生构造的区别
初生构造：植物的胚、茎端或根端的顶端分生组织细胞经过分裂、分化和生长形成的结构。由表皮、薄壁组织和维管组织组成。初生结构是低等维管植物和草本种子植物的主要组成部分，担负著吸收、光合、蒸腾和生殖等重要功能。
次生构造：岩石在成巖以后，由于构造变动和非构造变动形成的各种变形、变位现象。构造变动形成的次生构造，如褶皱、断层、节理、劈理、构造巖以及隆起、坳陷等等。
矿石结构与矿石构造的关系
结构是从微观上说的，构造是从巨集观上说的
例如有一块砂岩，观察其后，称其具有块状构造，是因为从巨集观看，该砂岩颗粒分选较好，比较纯净
而如果有一块砂岩我们说其具有辉长结构，这主要是因为在显微镜下或者放大镜下观察其组成岩石颗粒大多数为长石和辉石，也就是说岩石的组成
不知道你清楚没，呵呵
赵州桥结构构造的“鹰架”
不是，是采用拱圈拼成的
结构加固办法与施工，是修建构造的。
一、增补钢筋
植筋技术又称钢筋生根技术，在原有混凝土结构上钻孔，注结构胶，把新的钢筋旋转插入孔洞中。此技术广泛用于设计变更，增加梁、柱、悬挑梁、板等加固和变更工程。
二、钢筋螺栓锚固法
⒈施工准备施工前应认真阅读设计施工图，必须要将结构面清理干净，按设计图纸，放线标明钢筋锚固点的钻孔位置，钻孔位置标明后由现场负责人验线。
⒉钻孔按设计图纸要求明确螺栓锚固位置、成孔直径及锚固深度。
⒊清孔
⑴.钻孔完成后，将孔周围半径0.5米范围内灰尘清理干净，用气泵、毛刷清孔，此过程要作到三吹两刷，即吹孔三次、清刷两次，清刷完毕后，用棉丝沾丙酮，清刷孔洞内壁，使孔洞内最终达到清洁干燥；如遇较潮溼的情况，还须用加热棒，进行干燥处理。
⑵.若为水钻孔：用清水将孔内泥浆冲刷干净，用棉丝将孔擦净，等孔晾干后再进行下一道工序，如工期紧，可用加热棒进行干燥处理。
⑶.用干净棉丝将清洁过的孔洞严密封堵，以防有灰尘和异物落入。
⑷.现场负责人检查清孔工作，请总包及监理验收，做好隐检记录。
⒋钢筋清理
⑴.在钢筋端部相应位置做上标记，标示好除锈清理的长度范围；要求此长度范围大于要求锚固深度50mm。
⑵.启动磨光机，用钢丝刷将除锈清理长度范围内的钢筋表面打磨出金属光泽为止。
⑶.将除锈清理好的钢筋放在干燥处整齐码放。
⑷.用棉丝蘸丙酮，将除锈清理长度范围内的钢筋表面擦拭干净。
⑸.将所有处理完的钢筋码放整齐，报请现场负责人检查。
⒌钢筋埋植
⑴.钢筋锚固用胶的配制。（具体配比使用方法参见相应产品说明，或听从现场负责人要求）要求：按比例配制且搅拌均匀。
⑵.如为盲孔钢筋埋植：将锚固用胶注入孔洞内2/3 即可；将处理好的钢筋，除锈清理端朝向孔洞，一边向同一方向旋转，一边缓慢将钢筋插入洞内，直至到达孔洞底部为止。此时，如无锚固用胶从洞内溢位，说明注胶量不够，须将钢筋拔出，重新注胶，再次插入钢筋，直至能使胶溢位洞口。
⑶.如为通孔钢筋埋植：先将处理好的钢筋插入孔内，孔两端用环氧砂浆封堵，封堵时，须在一端留出注胶孔，另一端留出出气孔；待环氧砂浆凝固后方可进行高压注胶。将配制好的锚固用胶装入打胶筒内，安装打胶嘴；将锚固用胶通过注胶孔注入孔洞内，直至另一端出气孔溢位胶为止；而后，用环氧砂浆或其它材料将注胶孔及出气孔封堵死。
⑷.如是垂直通孔植筋，前期步骤同第3条，注胶时应从孔底部的注胶口向上注胶，以孔上部出气口出胶为宜。
⑸.对已埋植好的钢筋要做好保护工作，如挂明显标志牌等。以防锚固用胶在固化时间内，钢筋被摇摆动或碰撞，影响埋植效果。
⑹.用棉丝蘸少许丙酮，清理工作面遗留的胶及清理工作面的垃圾。注意：在清理遗留胶的时候，要小心轻缓，不得对钢筋进行摇摆或碰撞。
⑺.报请现场负责人检查。
⒍成品保护在锚固用胶固化前应对埋植好的钢筋进行必要的违挡，固定；做好标示、标牌。
三、粘钢
用粘结剂贴上钢板补强、加固的钢筋混凝土结构构件，能大大提高其原设计承载力和抗破坏能力。这是因为贴上钢板后，提高了原结构构件的配筋量，相应就提高了结构构件的抗拉、抗弯、抗剪等方面的力学效能，而这些效能是靠结构胶粘剂的良好粘结效能，把钢板与混凝土牢固地粘结在一起，形成整体，有效地传递应力，共同工作来保证的。
四、外包型钢加固
基本概念
包钢加固亦称粘结外包型钢加固法，钢筋混凝土梁柱外包型钢加固称之为包钢加固。当以乳胶水泥贴上或以环氧树脂化学灌浆等方法贴上时，称之为溼式包钢加固。适用于使用上不允许显著增大原构件截面尺寸，但又要求大幅度提高其承载能力的混凝土结构加固。
技术特点
该法受力可靠、施工简便、现场工作量较小，但用钢量较大，且不宜在无防护的情况下用于600C以上高温场所；能不增大构件截面尺寸，大幅度地提高混凝土柱的承载力。
当地下水位高于设计基底0.8m以上稍溼的粘性土、砂土、溼陷性黄土、杂填土和分层填土地基的加固处理应选用（重锤夯实法）。
五、贴上碳纤维
将抗拉强度极高的碳纤维用环氧树脂预浸成为复合增强材料（单向连续纤维）；用环氧树脂粘结剂沿受拉方向或垂直于裂缝方向贴上在要补强的结构上，形成一个新的复合体，使增强贴上材料与原有钢筋混凝 *** 同受力增大结构的抗裂或抗剪能力，提高结构的强度、刚度、抗裂性和延伸性。
施工工艺：表面处理→涂刷底胶→修补找平→胶料配制→贴上碳纤维→表面防护→检验
六、结构托换
结构托换技术是指对原有影响建筑使用功能的承重结构采用改变受力体系的方法进行的功能改造，目的是获得更大的理想使用空间。结构托换采用的方法一般为型钢托换、钢筋混凝土托换、桁架托换等。 地基基础托换技术是指因城市修建的地铁或地下隧道不可避免地从楼房底下穿过，为了避免拆除重建必须对地面上的楼房进行桩基托换。该技术主要是对地下隧道穿过需切断的楼房桩基，先在其承台附近采用梁式转换层将此部份桩基承受的上部荷载传递到隧道外侧的新建桩基础上，由托换梁—新加桩组成的托换结构体系代替。同时为了确保被托换楼房在断桩和隧道通过后不产生开裂、倾斜等破坏，采取了托换梁预应力张拉、千斤顶预顶、桩底注浆等技术，桩基托换可应用微型嵌巖钢管灌注桩、砼介面连线技术等多项专利技术。
七、加大截面
增大截面加固技术，也称为外包混凝土加固技术，它是增大构件的截面和配筋，用以提高构件的强度、刚度、稳定性和抗裂性，也可用来修补裂缝等，这种加固技术适用范围较广，可加固板、梁、柱、基础和屋架等。根据构件的受力特点和加固目的的要求、构件几何尺寸、施工方便等可设计为单侧、双侧或三侧的加固，四侧包套的加固。
根据不同的加固目的和要求，此技术又可分为加大断面为主的加固，和加配筋为主的加固，或者两者兼备的加固。加大截面为主的加固，为了保证补加混凝土正常工作，亦需适当配置构造钢筋。加配筋为主的加固，为了保证配筋的正常工作，需按钢筋的间距和保护层等构造要求适当增大截面尺寸。加固中应将钢筋加以焊接，作好新旧混凝土的结合。
而构造则指的是建筑物的建造过程和施工方法。
结构和构造是两个相关但不完全相同的概念。结构指的是建筑物的框架、支撑系统和组成部分之间的关系，在建筑领域中，强调的是建筑物内部各个部分之间的连接和关系。结构和构造是两个相关但不完全相同的概念。结构指的是建筑物的框架、而构造则指的是建筑物的建造过程和施工方法，支撑系统和组成部分之间的关系。强调的是建筑物的形成过程。简单来说，它关注建筑物的整体稳定性、承载能力和力学性能。结构关注的是建筑物的静态状态，而构造关注的是建筑物的动态过程。结构设计考虑到建筑物的荷载传递、力学分析、在设计和建造建筑物时，结构材料的选择等因素，需要考虑结构和构造两个方面，以确保建筑物的稳定性、安全性和功能性。
结构和构造有着不同的具体应用。结构的具体应用包括建筑物的框架设计、支撑系统的设计、力学分析等，旨在确保建筑物的稳定性和承载能力。而构造的具体应用则包括建筑物的建造过程、施工方法、材料选择等，旨在确保建筑物的安全性和功能性。简单来说，结构关注建筑物的静态状态，而构造关注建筑物的动态过程。在建筑领域中，因此，在建筑领域中，结构和构造有着不同的具体应用。具体应用方面，结构设计主要包括以下几个方面：1.结构和构造是相互关联但又有所区别的概念。
结构设计主要关注建筑物的稳定性、承载能力和力学性能，确保建筑物能够承受各种荷载并保持结构的稳定。结构设计和构造设计在建筑物的设计过程中起到了重要的作用。
结构设计的作用：1.而构造设计则关注建筑物的建造过程和施工方法，确保建筑物的安全性和功能性。 确保建筑物的稳定性和安全性：结构设计和构造设计密切合作，结构设计考虑建筑物所承受的荷载，相互影响，共同决定了建筑物的质量和性能。通过合理的结构布局和材料选择，在建筑物的设计过程中，确保建筑物能够承受外部荷载，结构设计和构造设计需要考虑建筑物的用途、地理环境、材料选择等因素，保证建筑物的稳定性和安全性。
2：优化空间利用：结构设计可以通过合理的布局和设计，以满足设计要求并确保建筑物的可持续发展。
1. 结构：在工程学、物理学以及计算机科学等领域，结构通常指的是物体或系统的组成方式、形态或组织方式。它强调的是物体或系统内部的组织、连接和排列方式，以及各个组成部分之间的关系。结构可以是具体的物理结构，如建筑物的框架或机械设备的部件，也可以是抽象的逻辑结构，如程序中的数据结构或数据库中的表结构。
2. 构造：在建筑学、地质学、生物学等领域，构造通常指的是地球表面或物体内部的形态、地质构造、生物结构等的形成和演化过程。它强调的是事物的形成、演化、变化的过程和规律。例如，在地质学中，构造通常指的是地壳的断裂、隆起、沉降、褶皱等地质现象；在生物学中，构造通常指的是生物体的形态、生命结构以及其形成和发展的生物学原理与过程。
总之，结构着重于物体或系统内部组织的方式和关系，强调稳定的形态和组织，而构造强调事物形成和演化的过程和规律，关注变化、发展和演变。
