二极管击穿是什么原因

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刺任芹O
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1、狭窄屏障区

在掺杂浓度较高的情况下,势垒区的共价键结构由于势垒区宽度小、反向电压大而被破坏,使价电子脱离共价键并产生电子空穴对。电流急剧增加。这种故障称为齐纳故障。当掺杂浓度较低时,势垒宽度较大,不易发生锌击穿。

2、高反向电压

当反向电压增大到较大值时,外加电场加速电子漂移速度,电子漂移速度与共价键中的价电子发生碰撞,将价电子从共价键中逐出,形成一对新的电子空穴。新产生的电子空穴被电场加速,然后其他价电子被击出。载波雪崩增加,导致电流急剧增加。

扩展资料:

二极管的分类:

1、点接触式

点接触二极管是通过将金属针压在锗或硅材料的单晶片上,然后通过电流法形成的。因此,其PN结具有较小的静态容量,适用于高频电路。

2、表面接触式

表面接触型或区域型二极管的PN结是用合金化或扩散法制作的。由于二极管的PN结面积大,可以承受大电流,但电极间的电容也很大。该装置适用于整流,但不适用于高频电路。

3、密钥类型

键合二极管是将合金或银线熔合在锗或硅片上形成的。它的特点是在点接触二极管和合金二极管之间。与点接触式相比,键合二极管的PN结电容略有增加。

参考资料来源:百度百科—二极管

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