Question

数字集成电路分析与设计的图书目录

Answer 1

第1章深亚微米数字集成电路设计

1.1绪论

1.2集成电路产业的简要历史

1.3数字逻辑六设计的回顾

1.1.1基本的逻辑函数

1.1.2逻辑电路的实现

1.1.3噪声容限的定义

1.1.4瞬态特性的定义

1.1.5功耗估算

1.4数字集成电路设计

1.4.1MOS晶体管的结构和工作原理

1.4.2CMOS与NMOS

1.4.3深亚微米互连

1.5数字电路的计算机辅助设计

1.5.1电路模拟和分析

*1.6面临的挑战

1.7小结

1.8参考文献

1.9习题

第2章MOS晶体管

2.1绪论

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

2.2MOS晶体管的结构和原理

2.3MOS晶体管的阈值电压

2.4一次电流-电压特性

2.5速度饱和公式的来源

2.5.1高电场的影响

2.5.2速度饱和器件的电流公式

*2.6α功率定律模型

2.7亚阈值传导

2.8MOS晶体管的电容

2.8.1薄氧化物电容

2.8.2pn结电容

2.8.2覆盖电容

2.9小结

2.10参考文献

2.11习题

第3章制造、版图和模拟

3.1绪论

3.2IC制造工艺

3.2.1IC制造工艺概述

3.2.2IC光刻工艺

3.2.3晶体管的制造

3.2.4制造连线

3.2.5连线电容和电阻

3.3版图基础

3.4电路模拟中MOS晶体管的模型构造

3.4.1SPICE中的MOS模型

3.4.2MOS晶体管的具体说明

3.5SPICEMOSLEVEL1器件模型

3.5.1MOSLEVEL1参数的提取

*3.6BSM3模型

3.6.1BSIM3中的加载过程

3.6.2短沟道阈值电压

3.6.3迁移率模型

3.6.4线性区和饱和区

3.6.5亚阈值电流

3.6.6电容模型

3.6.7源/漏电阻

*3.7MOS晶体管中的附加效应

3.7.1产品中的参数变化

3.7.2温度效应

3.7.3电源变化

3.7.4电压极限

3.7.5CMOS闩锁

*3.8绝缘体上的硅工艺

*3.9SPICE模型小结

3.10参考文献

3.11习题

第4章MOS反相器电路

4.1绪论

4.2电压传输特性

4.3噪声容限的定义

第5章静态MOS门电路

第6章高速CMOS逻辑设计

第7章传输门和动态逻辑设计

第8章半导体存储器的设计

导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。

第9章存储器设计中的其他课题

第10章连线设计

第11章电源网格和时钟设计

附录ASPICE的简要介绍

附录B双极型晶体管和电路