Question

（2011?南关区二模）[化学一物质结构与性质]Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长．耗

（2011?南关区二模）[化学一物质结构与性质]Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长．耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图所示．请回答下列问题：（1）下列说法正确的是BCBC（填序号）A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．第一电离能 As＞GaC．电负性 As＞GaD．原子半径 As＞Ga（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4；（3）AsH3空间形状为三角锥型三角锥型；已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为sp2sp2；Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业．（4）请解释金属铜能导电的原因铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动，Cu2+的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d91s22s22p63s23p63d9．（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有离子键离子键和配位键配位键．

Answer 1

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；
D．同周期自左而右原子半径减小，故原子半径As＜Ga，故D错误，
故答案为：BC；
（2）反应为（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成为GaAs，根据原子守恒可知还应有和CH₄，反应的化学方程式为：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃

GaAs+3CH₄，
故答案为：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃

GaAs+3CH₄；
（3）AsH₃中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH₃）₃Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp²杂化，故答案为：三角锥型；sp²；
（4）铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动，故可以导电，Cu²⁺的核外电子排布式为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹，
故答案为：铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动；1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；
（5）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶体属于配合物，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键，四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，故答案为：离子键、配位键．