Question

三极管电流流向问题

三极管电流流向问题当基极电势高于集电极，集电极电势高于发射极时，三极管电流流向如何？

Answer 1

这是饱和状态的情况，三极管电流分配依旧是基极流向发射极、集电极流向发射极。尽管集电极电位低于基极，但仍未达到导通值，而且也不会产生b-c导通的情况，因为有饱和压降Vces的存在，b-c间不可能发生正向导通的情形。

追问

这种情况下集电极n区少子向发射区移动的电流是不是依然存在，而且组成了集电极电流的一部分

追答

是的，毕竟集电区电位始终高于发射区，而少子是受集电区正向电压驱动的 ，所以始终存在。

追问

还有一个问题就是，假设给n型半导体端加比p型半导体端高的电压而且大小在击穿电压内，n区少子突破pn结势垒是不是比pn结正向偏置时n区多子突破pn结势垒要容易一些，还有一个问题就是半导体中的电流是不是空穴移动导致的空穴电流与自由电子移动产生的电子电流之和

追答

先说后一个问题，半导体中的电流有具体的区别。n型的电流（多数载流子）为自由电子，p型则为空穴，载流子移动后留下的空缺由电源来补充。所以是不同材料的半导体只有一种载流子（自由电子或空穴）作电流。

前一个问题还正如你说的，少子是在电场作用下产生的。如npn型，集电极施加的是正极性电压，这电压无论多大，都比发射极高，于是就有一电场力作用下的少子向发射极移动。少子对于集电极电压是正向的，且中间没有势垒的阻碍，自然比正向偏置导通容易，而且只要n-p间有压差，就有少子存在。所以为什么晶体管输出特性曲线会往右逐渐升高，就是因为这个少子在垫底，随Vce的增大而增大。毕竟半导体不是绝缘体。

追问

很厉害!非常感谢◝(⑅•ᴗ•⑅)◜..°♡

Answer 2

呵呵，这个问题主要有两个原因：
1.
发射区是重掺杂，其掺杂浓度远远高于基区的掺杂浓度，所以发射结正偏时，发射区向基区注入的电子数量是巨大的
2.
（非常关键的一点）基区的宽度足够小
，远远小于非平衡少子（电子）在基区的扩散长度。（而这恰恰是我们希望的，通常在制作双极型晶体管的时候，就是要把基区的宽度做小）。基区宽度小，意味着到达基区的非平衡少子
需要
渡越的距离就越短，就更容易到达集电区的边缘。（可以理解为，还没来得及复合，就到达集电区边缘了）
如果把基区宽度做得很宽很宽，远远大于非平衡少子（电子）在基区的扩散长度，
那这就造成
发射区注入基区的电子全部在基区被复合掉，无法到达集电结的边缘，这些电子全部成为基极电流的贡献了。
而集电结是反偏，只有很小很小的PN结反向饱和电流。
事实上，这也就不是双极型晶体管了，
顶多就算是
两个背靠背反向串联的PN结，
起不到电流放大的作用。
希望我的回答对你有帮助，全是一字一字敲上去的，呵呵，望采纳

Answer 3

因为基区非常薄，掺杂浓度低（也就是说多数载流子很少），集电极大量电子涌入，只有极少一部分才能复合掉。
上面两位的回答都很专业，希望我的回答你能看懂。

Answer 4

三极管和场效应管工作原理3D动画，直观的了解其电流走向