离子源的离子源的类型
利用稀薄气体中的高频放电现象使气体电离，一般用来产生低电荷态正离子，有时也从中引出负离子，作为负离子源使用。
在高频电场中，自由电子与气体中的原子(或分子)碰撞，并使之电离。带电粒子倍增的结果，形成无极放电，产生大量等离子体。高频离子源的放电管一般用派勒克斯玻璃或石英管制作。高频场可由管外螺线管线圈产生，也可由套在管外的环形电极产生。前者称为电感耦合,后者称为电容耦合高频振荡器频率为10 ～10 Hz，输出功率在数百瓦以上。
从高频离子源中引出离子可有两种方式。一种是在放电管顶端插入一根钨丝作为正极，在放电管尾端装一带孔负电极，并把该孔做成管形，从中引出离子流。另一种方式是把正极做成帽形，装在引出电极附近，而放电区则在它的另一侧。不管采用哪种引出方式，金属电极都要用石英或玻璃包起来，以减少离子在金属表面的复合。
在高频放电区域中加有恒定磁场时，由于共振现象可提高放电区域中的离子浓度。有时，还在引出区域加非均匀磁场来改善引出。 在外磁场约束下产生反射放电的离子源，是弧放电离子源的改进。在弧放电离子源中，阳极另一端和阴极对称的位置上，装一与阴极等电位的对阴极，使阴极发射的电子流在中空的阳极内反射振荡，提高了电离效率，改变了放电机制。阴极一般用钨块制成，由电子轰击加热，称间热阴极离子源。反射放电电压较高时，可在冷阴极状态下工作。这时离子源结构更加简单，称为冷阴极离子源。对于功率较大的离子源，阴极被放电所加热，达到电子热发射温度，被称为自热阴极离子源。
为产生非气态元素的离子，将该元素馈入离子源的方法有多种。简单的方法是使用气体化合物，也可导入该元素的蒸气。某些固体物质还可镀在阴极表面或阳极腔壁上，靠放电中的溅射作用将该物质导入放电区。 在非均匀磁场中工作的一种弧放电离子源它的电极系统和磁系统都经过精心安排,使得放电产生的等离子体发生两次收缩（几何箍缩和磁箍缩）。由于引出的离子流强度大、亮度高、而主体结构又比较紧凑，使用十分普遍。
大功率的双等离子体离子源能产生安培级以上的正离子束，是一种有效的强流离子源。正离子被中和以后，就转化为中性束。从双等离子体离子源中可以直接引出负离子束，也可以先引出正离子束，再用间接方法得到负离子。 双等离子体离子源和 PIG离子源的综合。大功率的双彭源是一种单电荷态的强流离子源，可以引出安培级以上的离子流。
小型装置也有用来作为多电荷重离子源的。
从外形结构看，双彭源只是在双等离子体离子源的阳极外侧增设一个对阴极。但从放电原理看，它两种离子源有很大差别。前三个电极组成类似于双等离子体离子源的系统，看作是一个电子源。由于对阴极上加有和中间电极相同或更负些的电压，电子就在中间电极和对阴极之间反射振荡,改善了电离。 用正离子束去轰击工作物质，就能得到该种物质的负离子。若用铯离子束去溅射周期表第Ⅳ族以后电子亲合力较大的元素，可以得到该元素微安级的负离子束流。若使氢或氩离子束通过一个充有气态工作物质的孔道，就能得到数微安的该物质负离子束流。
目前离子源技术还在不断地发展着。环形双等离子体离子源大型双彭源已可提供百安级的氢正离子流磁控管型负离子源已得到安培级的氢负离子束。一些小型离子源，则具有低能散、低功耗、低气耗、长寿命等特色。在产生多电荷重离子束的实验装置（如电子回旋共振离子源、电子束离子源）中，都已得到电荷态很高的重离子。这些新型装置已逐渐被回旋加速器所采用。而能产生高温等离子体的利用惯性约束的激光离子源，也产生了高电荷态离子。
采用组合加速方法的重离子加速系统中，前级加速器将电荷态较低的重离子加速到兆电子伏每核子的能量，穿过固体剥离膜或气体剥离器，将一部分轨道电子剥去，提高电荷态后在主加速器中继续加速，以得到较高的能量增益。在这种组合加速系统中，前级加速器和剥离器，可以被看成是一种特殊的重离子源系统。
