(2010?闵行区三模)如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁

(2010?闵行区三模)如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径... (2010?闵行区三模)如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路.虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场.方向垂直于回路所在的平面.回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始络与MN垂直.从D点到达边界开始到C点进入磁场为止,下列结论正确的是 (  )A.感应电流方向先逆时针,后顺时针B.CD段直线始终不受安培力C.感应电动势平均值E=Bav2D.感应电动势平均值.E=14πBav 展开
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A、在闭合电路进入磁场的过程中,通过闭合电路的磁通量逐渐增大,磁场方向向里,根据楞次定律可知感应电流的方向为逆时针方向不变,故A错误.
B、由于CD段导线与磁场垂直同,必定受到安培力作用,根据左手定则判断得知,CD段受安培力向下,故B错误.
C、D由法拉第电磁感应定律可得感应电动势平均值
.
E
=
△Φ
△t
=
B?
1
2
πa2
2a
v
=
1
4
πBav
,故C错误,D正确.
故选D
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