不均匀电场中,空气击穿电压和场强的关系是什么? 5

在均匀电场中,空气的击穿场强大约是30kv/cm,击穿电压就是30kv/cm乘以两极板之间的距离。但是在不均匀电场中,例如棒板电极,棒端电场可能已经超过30kv/cm,但... 在均匀电场中,空气的击穿场强大约是30kv/cm,击穿电压就是30kv/cm乘以两极板之间的距离。但是在不均匀电场中,例如棒板电极,棒端电场可能已经超过30kv/cm,但仍未发生击穿,请问大神们有没有一个在不均匀电场中空气击穿电压和场强的关系式?是否和最大/最小/平均场强或电场的不均匀系数等有关? 展开
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海边的鸟儿啊
高粉答主

2020-06-02 · 希望能自由的飞翔
海边的鸟儿啊
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不均匀电场中,空气击穿电压和场强成反比。极不均匀电场间隙击穿特性分析阶段。极不均匀电场气隙中,因间隙距离大,击穿电压主要取决于间隙距离,而与电极形状关系不大,所以以棒-棒电极或棒一板电极作为研究极不均匀电场放电特性的典型电极。

棒极附近产生的电晕,带电粒子定向运动,正离子向板极运动,由于速度慢,就在棒极附近形成电荷积累区,使未游离区的电场强度增大,而导致击穿电压降低。

扩展资料

电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的,不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。

当 PN 结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加,直到与半导体晶格发生碰撞,碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。

新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞,如果平均每个电子(或空穴)在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对,那么该过程可以不断被加强,最终达到耗尽区载流子数目激增,PN 结发生雪崩击穿。

GamryRaman
2023-06-12 广告
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电位有固定的大小关系。这是因为当MOS管工作在恒流区时,由于源极和漏极电压相等,G极电压(即源极电压)为0,而D极电压(即漏极电压)受栅极电压控制。由于G极电压为0,因此在恒流区时,D极电... 点击进入详情页
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