Question

IGBT单管和MOS管的区别，MOSFET是MOS吗？

Answer 1

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；
多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；
MOS就是MOSFET的简称了；
IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；
IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。

Answer 2

单管是只有一个管芯的igbt或mosfet；单管的电流一般比较小，50a以下；
模块是在内部并联了若干个管芯的igbt或mosfet；模块的电流可以做得很大，可以达到数百甚至上千a。
快恢复管也是同样。
至于可控硅则不用模块技术，因为可控硅单管关心就可以做到很大的电流。