Question

47、对于可控开关器件MOSFET和IGBT，以下哪种说法是正确的？ ( )

A、MOSFET比IGBT更适合于高电压应用
B、IGBT具有比MOSFET更高的开关频率
C、(C) (A)、(B)都正确
D、(D) (A)、(B)都不正确

Answer 1

是d，都不正确。1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没哗神有IGBT强。 2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不蔽神是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开乱并亏关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。