Question

sram存贮器是谁发明的

Answer 1

记忆体专利诉讼，独立发明人James Goodman控告英特尔等6家厂商。
2011年6月1日，来自美国德州的独立发明人James Goodman以1项专利侵权为由，控告以半导体龙头英特尔(Intel)以及日商尔必达(Elpida)为首等6家厂商，全案目前由加州北部联邦地院负责审理调查。

本次的系争专利编号为US6,243,315，专利发明人和专利权人皆为James Goodman，主要涉及记忆体装置的电力控制设计，James Goodman认为透过该专利技术的使用可提升记忆体发挥低耗能和高效率的两大特性。

根据诉状上James Goodman的声明，包含英特尔在内的6家被告厂商，其生产的PSRAM(Pseudo SRAM)产品皆有侵犯专利315的情形。目前在行动电话以及手持装置市场的主要3种记忆体类型分别为DRAM、SRAM(Synchronous RAM)和PSRAM。而PSRAM本身由于具有DRAM的架构系统以及SRAM的外接介面，因此也可视为两种记忆体的综合体，竞争优势在于记忆容量较大且生产成本较低，16Mb的PSRAM价格甚至还比8Mb的SRAM便宜，此外，PSRAM同时也是iPhone目前所配备的记忆组之一。