交流调压器电路
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交流调压器电路由可控整流电路和触发电路两部分组成。从电路原里图可知,二极管D1—D4组成桥式整流电路,双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压,该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时,整流电压通过R4、W1对电容C充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时,T1管由截止变为导通,于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1V,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时,可控硅自关断。当交流电在负半周时,电容C又从新充电……如此周而复始,便可调整负载RL上的功率了。
2:元器件选择
调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器,这种电位器可以直接焊在电路板上,电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外,其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件。
2:元器件选择
调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器,这种电位器可以直接焊在电路板上,电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外,其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件。
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1,如果只要一个电位器和负载,那除非电位器功率足够大才行,而且如果要使RL上的电压从接近零开调,那其阻值也要足够大。并且负载电压越低,点位器消耗的功率越大。
2。RL的电流回路的形成。是通过负载,二极管全桥,可控硅形成的,通过控制可控硅的触发角,控制可控硅的导通。可控硅不同的导通角,是的RL上的电压有效值,发生改变,在RL上的电压波形,不在是正弦波,而是一个正弦波的一部分形成的脉动波形。
2。RL的电流回路的形成。是通过负载,二极管全桥,可控硅形成的,通过控制可控硅的触发角,控制可控硅的导通。可控硅不同的导通角,是的RL上的电压有效值,发生改变,在RL上的电压波形,不在是正弦波,而是一个正弦波的一部分形成的脉动波形。
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