1、随机存储器
对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。
特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。
特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。
扩展资料：
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
参考资料来源：百度百科-半导体集成存储器
苏州中芯启恒科学仪器有限公司
2022-03-09 广告
1、随机存储器，对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式。
2、只读存储器，用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”，断开时为“0”，反之亦可。
3、串行存储器，它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
主要优点：
存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化；
数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级，可大大提高计算机运算速度；
利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。因此，在计算机高速存储方面，半导体存储器已全部替代了过去的磁性存储器。
半导体存储器分类及特点：
1、按功能分为
（1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失。DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
（2）只读存储器（ROM）特点：只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。
2、按其存储原理分为
（1）静态存储器特点：需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息。
（2）动态存储器特点：超大容量的存储技术，跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为。
3、按其制造工艺可分为
（1）双极型存储器特点：运算速度比磁芯存储器速度约快3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。
（2）MOS晶体管存储器特点：集成度高、容量大、体积小、存取速度快、功耗低、价格便宜、维护简单。
半导体存储器主要优点
①存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化；
②数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级，可大大提高计算机运算速度；
③利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。因此，在计算机高速存储方面，半导体存储器已全部替代了过去的磁性存储器。用作大规模集成电路的半导体存储器，是1970年前后开始生产的1千位动态随机存储器。随着工艺技术的改进，到1984年这类产品已达到每片1兆位的存储容量。
以上内容参考 百度百科-半导体存储器
1，按其功能可分为随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）
（1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
（2）只读存储器（ROM）特点：只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。
2，按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
（1）双极型存储器特点：运算速度比磁芯存储器速度约快 3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。
（2）MOS晶体管存储器特点：集成度高、容量大、体积小、存取速度快、功耗低、价格便宜、维护简单。
3，按其存储原理，可分为：静态和动态两种。
（1）静态存储器特点：需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息。
（2）动态存储器特点：超大容量的存储技术，跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为最低。
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发表于：2008年10月10日 0时54分1秒来源：权限: 公开阅读(3)评论(2) 举报本文链接：http://user.qzone.qq.com/85146877/blog/1223571241
存储器类别
1.SSRAM 是synchronous static random access memory 的缩写，即同步静态随机存取存储器。
同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。
（SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器）2.SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。
3. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
4. 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
5. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。
EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。DRAM断电后存在其中的数据会丢失，而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。 另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。
一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而nand flash不是真正的随机访问，属于顺序访问（serial access）。
而目前常见的NVRAM，有两种：
1.带有备用电源的SRAM
2.借助NVM（比如E2PROM）存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性。
对于我们身边处处可见的U盘，数码相机、可拍照手机、PDA、以及其中的存储卡，如CF、SD等等，内部多数是采用的Nand Flash。
而Nor Flash 对用于嵌入式中少量系统等信息的存储。
