Question

金属电阻率与半导体电阻率的本质差别?

详细一点儿，不要乱贴！
我还比较识货~~~~！！！！

Answer 1

金属是由金属原子组成的晶格和自由电子组成的，实际参与导电的是自由电子。晶格是一直振动的，和分子的热运动相关。金属之所以有电阻是由于晶格对自由电子的定向移动的阻碍。而且由于温度越高，晶格震动越强烈，所以它的阻碍效应就越明显，这是金属电阻随温度升高而变大的原因。
对于半导体，它不像金属那样有很多自由电子，它的电子基本都被束缚在原子核上。所以它需要一定的温度或者光来激发，是它的电子获得足够的能量，摆脱原子核的束缚，从而成为能够参与导电的粒子。所以温度升高，能够参与导电的粒子就越多，电阻就越小。

Answer 2

<半导体物理基础>这本书上有的...主要区别就如楼上所说,由温度和电阻率的曲线关系上说明的.如果抛开温度问题不说,那就是金属的导电是由自由电子的运动产生的.半导体的导电是电子和空穴共同运动的结果.(电子离开原位,在原位产生一个等电量的正电荷空穴)

Answer 3

金属的导电性符合欧姆定律，是线性元件．半导体是非线性元件．他们的伏安特性曲线不一样，主要还是欧姆定律．．．．