电工电子技术基础知识
电工电子技术基础知识,希望高手能帮我解答一下!!急切想知道答案!1、如下图1-1的电路中有____________节点,____________条支路,_________...
电工电子技术基础知识,希望高手能帮我解答一下!!急切想知道答案!
1、如下图1-1的电路中有____________节点,____________条支路,____________个回路,____________个网孔。
2、19.在串联电路中,等效电阻等于各电阻____________。串联的电阻越多,等效电阻越____________。
3、30.我国工业及生活中使用的交流电频率__________,周期为__________。
4、.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压________ ,外加反偏电压________。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是__________,死区电压是__________。
6、杂质半导体分_______ 型半导体和 _______型半导体两大类。
7、当半导体三极管的 ______正向偏置,______ 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 ______ 极电流能控制______ 极电流。
8、某直流电路的电压为220伏,电阻为40欧,其电流为( )。�
A、5.5安 B、4.4安 C、1.8安 D、8.8安�
9、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的( )。
A、平均值 B、最大值 C、有效值 D、瞬时值�
10、将2 欧与3欧的两个电阻串联后,接在电压为10伏的电源上,2欧电阻上消耗的功率为( )。�
A、4瓦 B、6瓦 C、8瓦 D、10瓦
11、一台三相电动机,每组绕组的额定电压为220V,对称三相电源的线电压U1=380V,则三相绕组应采用( )。
A、星形联结,不接中性线 B、星形联结,并接中性线 C、a、b均可 D、三角形联结
12、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到( )。
A、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10Ω D、R×100Ω
13、工作在放大区域的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA则它的β值约为 。
A、10 B、50 C、80 D、100 展开
1、如下图1-1的电路中有____________节点,____________条支路,____________个回路,____________个网孔。
2、19.在串联电路中,等效电阻等于各电阻____________。串联的电阻越多,等效电阻越____________。
3、30.我国工业及生活中使用的交流电频率__________,周期为__________。
4、.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压________ ,外加反偏电压________。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是__________,死区电压是__________。
6、杂质半导体分_______ 型半导体和 _______型半导体两大类。
7、当半导体三极管的 ______正向偏置,______ 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 ______ 极电流能控制______ 极电流。
8、某直流电路的电压为220伏,电阻为40欧,其电流为( )。�
A、5.5安 B、4.4安 C、1.8安 D、8.8安�
9、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的( )。
A、平均值 B、最大值 C、有效值 D、瞬时值�
10、将2 欧与3欧的两个电阻串联后,接在电压为10伏的电源上,2欧电阻上消耗的功率为( )。�
A、4瓦 B、6瓦 C、8瓦 D、10瓦
11、一台三相电动机,每组绕组的额定电压为220V,对称三相电源的线电压U1=380V,则三相绕组应采用( )。
A、星形联结,不接中性线 B、星形联结,并接中性线 C、a、b均可 D、三角形联结
12、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到( )。
A、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10Ω D、R×100Ω
13、工作在放大区域的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA则它的β值约为 。
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5个回答
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如下图1-1的电路中有____________节点,____________条支路,____________个回路,____________个网孔。
图呢?
2、19.之和 大
3、30.交流电频率_50Hz_____,周期为__0.02s___。
4、.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压_导通__ ,外加反偏电压_截止__。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是___0.3V____,死区电压是_0.2V______。
6、杂质半导体分_P_ 型半导体和 __N__型半导体两大类。
7、当半导体三极管的 _发射极_正向偏置,_集电极_ 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 _基_极电流能控制_集电_ 极电流。
8、某直流电路的电压为220伏,电阻为40欧,其电流为(A )。�
A、5.5安 B、4.4安 C、1.8安 D、8.8安�
9、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的(C )。
A、平均值 B、最大值 C、有效值 D、瞬时值�
10、将2 欧与3欧的两个电阻串联后,接在电压为10伏的电源上,2欧电阻上消耗的功率为(C )。�
A、4瓦 B、6瓦 C、8瓦 D、10瓦
11、一台三相电动机,每组绕组的额定电压为220V,对称三相电源的线电压U1=380V,则三相绕组应采用(C )。
A、星形联结,不接中性线 B、星形联结,并接中性线 C、a、b均可 D、三角形联结
12、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到(A )。
A、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10Ω D、R×100Ω
13、工作在放大区域的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA则它的β值约为 。(B)
A、10 B、50 C、80 D、100
图呢?
2、19.之和 大
3、30.交流电频率_50Hz_____,周期为__0.02s___。
4、.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压_导通__ ,外加反偏电压_截止__。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是___0.3V____,死区电压是_0.2V______。
6、杂质半导体分_P_ 型半导体和 __N__型半导体两大类。
7、当半导体三极管的 _发射极_正向偏置,_集电极_ 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 _基_极电流能控制_集电_ 极电流。
8、某直流电路的电压为220伏,电阻为40欧,其电流为(A )。�
A、5.5安 B、4.4安 C、1.8安 D、8.8安�
9、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的(C )。
A、平均值 B、最大值 C、有效值 D、瞬时值�
10、将2 欧与3欧的两个电阻串联后,接在电压为10伏的电源上,2欧电阻上消耗的功率为(C )。�
A、4瓦 B、6瓦 C、8瓦 D、10瓦
11、一台三相电动机,每组绕组的额定电压为220V,对称三相电源的线电压U1=380V,则三相绕组应采用(C )。
A、星形联结,不接中性线 B、星形联结,并接中性线 C、a、b均可 D、三角形联结
12、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到(A )。
A、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10Ω D、R×100Ω
13、工作在放大区域的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA则它的β值约为 。(B)
A、10 B、50 C、80 D、100
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电工电子技术基础知识,希望高手能帮我解答一下!!急切想知道答案!
1、如下图1-1的电路中有____________节点,____________条支路,____________个回路,____________个网孔。
2、19.在串联电路中,等效电阻等于各电阻____之和________。串联的电阻越多,等效电阻越______大______。
3、30.我国工业及生活中使用的交流电频率_____50Hz____,周期为_____0.02s_____。
4、.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压__导通______ ,外加反偏电压____截止____。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是_0.3V_________,死区电压是__________。
6、杂质半导体分___P____ 型半导体和 ___N____型半导体两大类。
7、当半导体三极管的 __发射结____正向偏置,___集电结___ 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 __基__ 极电流能控制__集电____ 极电流。
8、某直流电路的电压为220伏,电阻为40欧,其电流为(A )。�
A、5.5安 B、4.4安 C、1.8安 D、8.8安�
9、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的( C)。
A、平均值 B、最大值 C、有效值 D、瞬时值�
10、将2 欧与3欧的两个电阻串联后,接在电压为10伏的电源上,2欧电阻上消耗的功率为(A )。�
A、4瓦 B、6瓦 C、8瓦 D、10瓦
11、一台三相电动机,每组绕组的额定电压为220V,对称三相电源的线电压U1=380V,则三相绕组应采用(C )。
A、星形联结,不接中性线 B、星形联结,并接中性线 C、a、b均可 D、三角形联结
12、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到(A )。
A、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10Ω D、R×100Ω
13、工作在放大区域的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA则它的β值约为 。(B)
A、10 B、50 C、80 D、100
1、如下图1-1的电路中有____________节点,____________条支路,____________个回路,____________个网孔。
2、19.在串联电路中,等效电阻等于各电阻____之和________。串联的电阻越多,等效电阻越______大______。
3、30.我国工业及生活中使用的交流电频率_____50Hz____,周期为_____0.02s_____。
4、.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压__导通______ ,外加反偏电压____截止____。
5、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是_0.3V_________,死区电压是__________。
6、杂质半导体分___P____ 型半导体和 ___N____型半导体两大类。
7、当半导体三极管的 __发射结____正向偏置,___集电结___ 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 __基__ 极电流能控制__集电____ 极电流。
8、某直流电路的电压为220伏,电阻为40欧,其电流为(A )。�
A、5.5安 B、4.4安 C、1.8安 D、8.8安�
9、我国低压供电电压单相为220伏,三相线电压为380伏,此数值指交流电压的( C)。
A、平均值 B、最大值 C、有效值 D、瞬时值�
10、将2 欧与3欧的两个电阻串联后,接在电压为10伏的电源上,2欧电阻上消耗的功率为(A )。�
A、4瓦 B、6瓦 C、8瓦 D、10瓦
11、一台三相电动机,每组绕组的额定电压为220V,对称三相电源的线电压U1=380V,则三相绕组应采用(C )。
A、星形联结,不接中性线 B、星形联结,并接中性线 C、a、b均可 D、三角形联结
12、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到(A )。
A、R×100Ω或R×1KΩ B、R×1Ω C、R×10Ω D、R×100Ω
13、工作在放大区域的某三极管,当IB从20μA增大到40μA时,IC从1mA变为2mA则它的β值约为 。(B)
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2 之和,大
3 200V,50HZ
4 导通,不通
8 A
9 B
10 A
11 D
12 C
其他的自己看书!!!!!!!!
3 200V,50HZ
4 导通,不通
8 A
9 B
10 A
11 D
12 C
其他的自己看书!!!!!!!!
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5.0.3V 0.3V
6.N型半导体和P型半导体
7.发射结正偏, 集电结反偏 基极 集电极
13.B.50
6.N型半导体和P型半导体
7.发射结正偏, 集电结反偏 基极 集电极
13.B.50
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1.????
2.之和, 大
3.50Hz, 0.02s
4.导通, 截止
5.0.3V, 0.2V
6.N, P
7.发射结, 集电结, 基极, 集电极
8.A
9.C
10.A
11.C
12.A
13.B
2.之和, 大
3.50Hz, 0.02s
4.导通, 截止
5.0.3V, 0.2V
6.N, P
7.发射结, 集电结, 基极, 集电极
8.A
9.C
10.A
11.C
12.A
13.B
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