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电工电子技术基础知识
35.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压 ,外加反偏电压 。
36.利用二极管的__________作用,可将交流电变成__________。
37.根据二极管的__________性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越__________越好。
38.锗二极管工作在导通区时正向压降大约是__________,死区电压是__________。
39.硅二极管的工作电压为__________,锗二极管的工作电压为__________。
40.整流二极管的正向电阻越__________,反向电阻越__________,表明二极管的单向导电性能越好。
41.杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。
42.当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为__________ 。
43.发光二极管是把 能转变为 能,它工作于 状态;光电二极管是把 能转变为 能,它工作于 状态。
44.当半导体三极管的 正向偏置, 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 极电流能控制 极电流。
45.三极管的电流放大原理是__________电流的微小变化控制__________电流的较大变化。
46.某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于__________区的__________型的三极管。
47.已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断:
a.①脚是 ,②脚是 ,③脚是 (e, b,c);
b.管型是 (NPN,PNP);
c.材料是 (硅,锗)。
48.晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是__________、__________,电流分配关系是__________。 展开
34.把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成PN结 。
35.半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压 ,外加反偏电压 。
36.利用二极管的___整流____作用,可将交流电变成___直流____。
37.根据二极管的_____单相导电_____性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越____大_____越好。
38.锗二极管工作在导通区时正向压降大约是___0.2V___,死区电压是__小于0.2V_____。
39.硅二极管的工作电压为___0.7V____,锗二极管的工作电压为___0.2V_____。
40.整流二极管的正向电阻越____小____,反向电阻越____大____,表明二极管的单向导电性能越好。
41.杂质半导体分 N 型半导体和 P 型半导体两大类。
42.当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为_反向击穿__ 。
43.发光二极管是把 电 能转变为 光 能,它工作于 正向偏置 状态;光电二极管是把 光 能转变为 电 能,它工作于 反向偏置 状态。
44.当半导体三极管的 发射结 正向偏置, 集电结 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即 基 极电流能控制 集电 极电流。
45.三极管的电流放大原理是_基极__电流的微小变化控制__集电极____电流的较大变化。
46.某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于___饱和__区的___NPN__型的三极管。
47.已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断:
a.①脚是 基极b ,②脚是 发射极e,③脚是 集电极c (e, b,c);
b.管型是 NPN(NPN,PNP);
c.材料是 硅(硅,锗)。
48.晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是__发射结正向偏置、__集电结反向偏置__,电流分配关系是___Ie=Ib+Ic、_______。
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2023-08-29 广告
35、导通、截止
36、单向导通、半波
37、单项导通性、大
38、0.3V、0.2V
39、0.7V、0.3V
40、小、大
41、P 、N
42、击穿
43、电、光、正向偏置状态,光、电、反向偏置状态
44、发射结,集电结,基、集电极
45、Vi、Ic
46、饱和区 NPN
47、a、b脚、e脚、c脚
b、NPN
c、硅
48、Ib、Ic、Vce,Ic=ßIb