Question

用16K×8位的DRAM芯片构成64K ×32位存储器

（1）共需要多少片DRAM芯片？
（2）画出该存储器的组成框图。
（3）设存储器读/写周期为0.5s，CPU在1 s 内至少要访问一次。试问采用那种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需要的实际刷新时间是多少

谢谢拉

Answer 1

存储总容量为64KB，故地址总线需16 位。现使用16K*8 位DRAM 芯片，共需16 片。芯片本身地址线占14 位，所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器，其中使用一片2：4 译码器。

根据已知条件，CPU 在1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，如果采用集中刷新，有64us 的死时间，字扩展有串联 位扩展有并联，要4*4=16个DRAM芯片。

工作原理

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。

主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体，存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息，该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的，单元地址只有一个，固定不变，而存储在其中的信息是可以更换的。

以上内容参考：百度百科-存储器

Answer 2

根据题意，存储总容量为64KB，故地址总线需16 位。现使用16K*8 位DRAM 芯片，
共需16 片。芯片本身地址线占14 位，所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成
整个存储器，其中使用一片2：4 译码器。
(2)根据已知条件，CPU 在1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，
如果采用集中刷新，有64us 的死时间，肯定不行
如果采用分散刷新，则每1us 只能访存一次，也不行
所以采用异步式刷新方式。
假定16K*1 位的DRAM 芯片用128*128 矩阵存储元构成，刷新时只对128 行进行异步
方式刷新，则刷新间隔为2ms/128 = 15.6us，可取刷新信号周期15us。
刷新一遍所用时间＝15us×128＝1.92ms
图我画不好自己找本书画吧

Answer 3

存储总容量为64KB，故地址总线需16 位。现使用16K*8 位DRAM 芯片，
共需16 片。芯片本身地址线占14 位，所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成
整个存储器，其中使用一片2：4 译码器。
(2)根据已知条件，CPU 在1us 内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，
如果采用集中刷新，有64us 的死时间，肯定不行
字扩展有串联 位扩展有并联
要4*4=16个DRAM芯片

Answer 4

字扩展有串联 位扩展有并联
要4*4=16个DRAM芯片
用2组地址线还有4条数据线还有。。。 记不清了
呵呵 不好意思啊

Answer 5

扩展有串联 位扩展有并联
要4*4=16个DRAM芯片
用2组地址线还有4条数据线还有。。。 记不清了
呵呵 不好意思啊