Question

igbt是什么意思？

Answer 1

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

扩展资料：

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

Answer 2

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，翻译成中文就是“绝缘栅双极晶体管”。这是一种由两种不同的半导体材料（p型和n型）构成的三极管，具有大电流承受能力和高切换速度的特点。
IGBT是功率电子技术领域中非常重要的半导体器件，将MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的高输入阻抗和双极型晶体管的低饱和压降结合起来。它广泛应用于交流电机调速、开关电源、高频焊接设备、电力电子变换设备等方面。
IGBT的三个电极是集电极、发射极和栅极。其中集电极和发射极是作为开关的两端，栅极则作为控制IGBT导通与否的入口。