光耦主要的参数是什么？
1、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。
2、反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
3、正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。
4、正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。
5、反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。
6、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。
7、反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。
8、电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
9、脉冲上升时间tr,下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。
10、传输延迟时间tPHL,tPLH：从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。
11、入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。
12、入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
13、入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
扩展资料
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦。
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受Vcc大小影响。此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接与Vin 成比例，一般用于反馈环路里面 (1.6V 是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同) 。
对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
参考资料来源：百度百科-光耦
光耦的主要参数主要包括以下几个方面：
隔离电压：隔离电压是指在特定的时间和条件下，光耦可以承受的最大电压。这个参数的大小直接决定了光耦的隔离能力。
转移率：转移率（CTR，也称电流转移率）描述的是输入电流和输出电流之间的比值，通常以百分比表示。CTR的大小直接影响到光耦的灵敏度，即接收端对输入信号变化的响应程度。
响应时间：响应时间（Response Time）是指光耦从接收到输入信号到输出信号发生明显变化所经过的时间，通常以微秒（us）或纳秒（ns）为单位。
工作温度范围：工作温度范围决定了光耦在不同环境温度下的工作能力。
光照强度：光照强度会影响光到电、电到光的转换效率，在实际应用中，需要根据应用场景来选择合适的光照强度。
