单片机在世界发达国家各个行业的广泛应用(举例说明)和国内的应用现状和趋势
1个小时内回答的,我追加100分1楼的兄弟,虽然你ctrl+cctrl+v也挺不容易的,但你也不能文不对题,随便乱复制啊...
1个小时内回答的,我追加100分
1楼的兄弟,虽然你ctrl+c ctrl+v 也挺不容易的,但你也不能文不对题,随便乱复制啊 展开
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一、单片机的发展过程
单片机诞生于20世纪70年代末,单片机的发展历史可划分
为以下几个阶段:
第一阶段(1974年~1976年):为单片机初级阶段,即SCM
单片微型计算机(SingleChipMicrocomputer)阶段。主要是寻求
最佳的单片形态嵌入式系统的最佳体系结构。因受工艺和集成
度的限制,单片机采用双片形式。例如:仙童公司的F8必须外接
一块3851电路才能构成一个完整的微型计算机。
第二阶段(1976年~1978年):为低性能单片机阶段,即单
片机的控索阶段。以Intel公司的MCS—48为代表。MCS—48的
推出是在工控领域的控索,参与这一控索的公司还有Motorola
、Zilog等,都取得了满意的效果。这就是SCM的诞生年代,“单
机片”一词即由此而来。此时的单片机由一块芯片构成,但性能
低、品种少。它具有CPU、并行口、定时器、RAM及ROM。这是
一个真正的单片机,但CPU功能不强,IO口种类和数量很少,
其ROM和RAM也很有限。只能应用于比较简单的场合。例如,
90年代中期以前的PC机键盘几乎无一例外地使用MCS-48
系列单片机作为控制部件。
第三阶段(1978年~1982年):单片机的完善阶段。Intel公
司在MCS—48基础上推出了完善的、典型的单片机系列MCS—
51。它在以下几个方面奠定了典型的通用总线型单片机体系结
构。①完善的外部总线。MCS-51设置了经典的8位单片机的
总线结构,包括8位数据总线、16位地址总线、控制总线及具有
很多机通信功能的串行通信接口。②CPU外围功能单元的集
中管理模式。③体现工控特性的位地址空间及位操作方式。④
指令系统趋于丰富和完善,并且增加了许多突出控制功能的指
令。
第四阶段(1982年~1990年):8位单片机的巩固发展及16
位单片机的推出阶段,也是单片机向微控制器发展的阶段。Intel
公司推出的MCS—96系列单片机,将一些用于测控系统的模数
转换器、程序运行监视器、脉宽调制器等纳入片中,体现了单片
机的微控制器特征。随着MCS—51系列的广应用,许多电气厂
商竞相使用80C51为内核,将许多测控系统中使用的电路技术、
接口技术、多通道AD转换部件、可靠性技术等应用到单片机
中,增强了外围电路功能,强化了智能控制的特征。
第五阶段(1990年~):微控制器的全面发展阶段。随着单
片机在各个领域全面深入地发展和应用,出现了高速、大寻址范
围、强运算能力的8位16位32位通用型单片机,以及小型廉
价的专用型单片机。
二、单片机的发展趋势
90年代后期至今单片机的发展可以说是进入了一个新的
阶段,单片机正朝着高性能和多品种方向发展,发展趋势将是进
一步向着CMOS化、低功耗、小体积、大容量、高性能、低价格和
外围电路内装化等几个方面发展。其发展趋势主要有以下几个
方面:
1、CMOS化:近年,由于CHMOS技术的进步,大大地促进
了单片机的CMOS化。CMOS芯片除了低功耗特性之外,还具
有功耗的可控性,使单片机可以工作在功耗精细管理状态。这也
是今后以80C51取代8051为标准MCU芯片的原因。因为单片
机芯片多数是采用CMOS(金属栅氧化物)半导体工艺生产。
CMOS电路的特点是低功耗、高密度、低速度、低价格。采用双
极型半导体工艺的TTL电路速度快,但功耗和芯片面积较大。
随着技术和工艺水平的提高,又出现了HMOS(高密度、高速度
MOS)和CHMOS工艺,CMOS和HMOS工艺的结合。目前生产
的CHMOS电路已达到LSTTL的速度,传输延迟时间小于2ns,
它的综合优势已在于TTL电路。因而,在单片机领域CMOS正
在逐渐取代TTL电路。
2、低功耗:单片机的功耗已到mA级,甚至到1uA以下;使
用电压在3~6V之间,完全适应电池工作。低功耗化的效应不仅
是功耗低,而且带来了产品的高可靠性、高抗干扰能力以及产品
的便携化、低电压化。几乎所有的单片机都有WAIT、STOP等
省电运行方式。允许使用的电压范围越来越宽,一般在3~6V范
围内工作。低电压供电的单片机电源下限已可达1~2V。目前0.
8V供电的单片机已经问世。低噪声与高可靠性为提高单片机
的抗电磁干扰能力,使产品能适应恶劣的工作环境,满足电磁兼
容性方面更高标准的要求,各单片机厂家在单片机内部电路中
都采用了新的技术措施。
3、大容量化:传统的单片机片内程序存储器一般为1K~
8K,片内数据存储器为256字节以下。在某些复杂的应用上,片
内不论是程序存储器还是数据存储器都是容量不够,必须采用
外接方式进行扩充。而新型单片机(例如PHILIPSP89C66x)片
内程序存储器可达64K,片内数据存储器可达8K。今后,随着工
艺技术的不断发展,单片机片内存储器容量将进一步扩大。
4、单片机的高性能化:主要是指进一步提高CPU的性能,
加快指令运算速度,并加强了位处理功能、中断、定时功能。其主
频从4MHz~12MHz向0MHz(全静态)~40MHz以上发展。
同时采用流水线结构,让指令以队列形式出现在CPU中,从而
进一步提高运算速度。有的单片机基本采用了多流水线结构,这
类单片机的运算速度要比标准的单片机高出10倍以上。
5、外围电路内装化:这也是单片机发展的一个主流方面。随
着集成度的不断提高,使将各种功能器件集成在片内成为可能。
除了一般必须具有的CPU、ROM、RAM、定时器计数器等外,
片内还可以根据需要集成如串行口、AD、DA,EEPROM、
PWM、看门狗(WatchDog)、液晶显示(LCD)驱动器等多种功
能部件。
6、增强IO口功能:为了减少外部驱动芯片,进一步增加单
片机并行口的驱动能力,现在有的单片机可直接输出较大电流
(20mA)和高电压,以便直接驱动显示器。为进一步加快IO的
传输速度,有的单片机设置了高速IO口,能以最快的速度捕捉
外部数据的变化,同时以最快的速度向片外输出数据。以适合数
据高速改变的场合。
随着集成工艺的不断发展,单片机一方面向集成度更高、体
积更小、功能更强、功耗更低方向发展,另一方面向32位以上及
双CPU方向发展。
单片机诞生于20世纪70年代末,单片机的发展历史可划分
为以下几个阶段:
第一阶段(1974年~1976年):为单片机初级阶段,即SCM
单片微型计算机(SingleChipMicrocomputer)阶段。主要是寻求
最佳的单片形态嵌入式系统的最佳体系结构。因受工艺和集成
度的限制,单片机采用双片形式。例如:仙童公司的F8必须外接
一块3851电路才能构成一个完整的微型计算机。
第二阶段(1976年~1978年):为低性能单片机阶段,即单
片机的控索阶段。以Intel公司的MCS—48为代表。MCS—48的
推出是在工控领域的控索,参与这一控索的公司还有Motorola
、Zilog等,都取得了满意的效果。这就是SCM的诞生年代,“单
机片”一词即由此而来。此时的单片机由一块芯片构成,但性能
低、品种少。它具有CPU、并行口、定时器、RAM及ROM。这是
一个真正的单片机,但CPU功能不强,IO口种类和数量很少,
其ROM和RAM也很有限。只能应用于比较简单的场合。例如,
90年代中期以前的PC机键盘几乎无一例外地使用MCS-48
系列单片机作为控制部件。
第三阶段(1978年~1982年):单片机的完善阶段。Intel公
司在MCS—48基础上推出了完善的、典型的单片机系列MCS—
51。它在以下几个方面奠定了典型的通用总线型单片机体系结
构。①完善的外部总线。MCS-51设置了经典的8位单片机的
总线结构,包括8位数据总线、16位地址总线、控制总线及具有
很多机通信功能的串行通信接口。②CPU外围功能单元的集
中管理模式。③体现工控特性的位地址空间及位操作方式。④
指令系统趋于丰富和完善,并且增加了许多突出控制功能的指
令。
第四阶段(1982年~1990年):8位单片机的巩固发展及16
位单片机的推出阶段,也是单片机向微控制器发展的阶段。Intel
公司推出的MCS—96系列单片机,将一些用于测控系统的模数
转换器、程序运行监视器、脉宽调制器等纳入片中,体现了单片
机的微控制器特征。随着MCS—51系列的广应用,许多电气厂
商竞相使用80C51为内核,将许多测控系统中使用的电路技术、
接口技术、多通道AD转换部件、可靠性技术等应用到单片机
中,增强了外围电路功能,强化了智能控制的特征。
第五阶段(1990年~):微控制器的全面发展阶段。随着单
片机在各个领域全面深入地发展和应用,出现了高速、大寻址范
围、强运算能力的8位16位32位通用型单片机,以及小型廉
价的专用型单片机。
二、单片机的发展趋势
90年代后期至今单片机的发展可以说是进入了一个新的
阶段,单片机正朝着高性能和多品种方向发展,发展趋势将是进
一步向着CMOS化、低功耗、小体积、大容量、高性能、低价格和
外围电路内装化等几个方面发展。其发展趋势主要有以下几个
方面:
1、CMOS化:近年,由于CHMOS技术的进步,大大地促进
了单片机的CMOS化。CMOS芯片除了低功耗特性之外,还具
有功耗的可控性,使单片机可以工作在功耗精细管理状态。这也
是今后以80C51取代8051为标准MCU芯片的原因。因为单片
机芯片多数是采用CMOS(金属栅氧化物)半导体工艺生产。
CMOS电路的特点是低功耗、高密度、低速度、低价格。采用双
极型半导体工艺的TTL电路速度快,但功耗和芯片面积较大。
随着技术和工艺水平的提高,又出现了HMOS(高密度、高速度
MOS)和CHMOS工艺,CMOS和HMOS工艺的结合。目前生产
的CHMOS电路已达到LSTTL的速度,传输延迟时间小于2ns,
它的综合优势已在于TTL电路。因而,在单片机领域CMOS正
在逐渐取代TTL电路。
2、低功耗:单片机的功耗已到mA级,甚至到1uA以下;使
用电压在3~6V之间,完全适应电池工作。低功耗化的效应不仅
是功耗低,而且带来了产品的高可靠性、高抗干扰能力以及产品
的便携化、低电压化。几乎所有的单片机都有WAIT、STOP等
省电运行方式。允许使用的电压范围越来越宽,一般在3~6V范
围内工作。低电压供电的单片机电源下限已可达1~2V。目前0.
8V供电的单片机已经问世。低噪声与高可靠性为提高单片机
的抗电磁干扰能力,使产品能适应恶劣的工作环境,满足电磁兼
容性方面更高标准的要求,各单片机厂家在单片机内部电路中
都采用了新的技术措施。
3、大容量化:传统的单片机片内程序存储器一般为1K~
8K,片内数据存储器为256字节以下。在某些复杂的应用上,片
内不论是程序存储器还是数据存储器都是容量不够,必须采用
外接方式进行扩充。而新型单片机(例如PHILIPSP89C66x)片
内程序存储器可达64K,片内数据存储器可达8K。今后,随着工
艺技术的不断发展,单片机片内存储器容量将进一步扩大。
4、单片机的高性能化:主要是指进一步提高CPU的性能,
加快指令运算速度,并加强了位处理功能、中断、定时功能。其主
频从4MHz~12MHz向0MHz(全静态)~40MHz以上发展。
同时采用流水线结构,让指令以队列形式出现在CPU中,从而
进一步提高运算速度。有的单片机基本采用了多流水线结构,这
类单片机的运算速度要比标准的单片机高出10倍以上。
5、外围电路内装化:这也是单片机发展的一个主流方面。随
着集成度的不断提高,使将各种功能器件集成在片内成为可能。
除了一般必须具有的CPU、ROM、RAM、定时器计数器等外,
片内还可以根据需要集成如串行口、AD、DA,EEPROM、
PWM、看门狗(WatchDog)、液晶显示(LCD)驱动器等多种功
能部件。
6、增强IO口功能:为了减少外部驱动芯片,进一步增加单
片机并行口的驱动能力,现在有的单片机可直接输出较大电流
(20mA)和高电压,以便直接驱动显示器。为进一步加快IO的
传输速度,有的单片机设置了高速IO口,能以最快的速度捕捉
外部数据的变化,同时以最快的速度向片外输出数据。以适合数
据高速改变的场合。
随着集成工艺的不断发展,单片机一方面向集成度更高、体
积更小、功能更强、功耗更低方向发展,另一方面向32位以上及
双CPU方向发展。
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世界性的吧:你用的键盘,U盘,相机,电视机,冰箱,音响,..............
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我国的吧:各种家电,安防,中小工业设备.....
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其它国的吧:我国有的,他们也有.........
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发达国家的吧:美国?日本?苏?德?法?意?
一样的,
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我国的吧:各种家电,安防,中小工业设备.....
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其它国的吧:我国有的,他们也有.........
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发达国家的吧:美国?日本?苏?德?法?意?
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