IGBT导通条件和关断条件各自要满足哪些因素?
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IGBT是场控器件,它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定,当uGE为正,且大于开启电压UGE(th)时,IGBT就可以导通;当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时,IGBT就被关断。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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导通和截止,取决于阀值电压,阀值电压是导通和截止的本条件,一般正负5V;
如果让IGBT的导通状态是出于饱和导通,电压一般是正负15V。
guli123142 | 2012-05-18
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一般的IGBT是正电压开通,零电压关断,一般情况下,门极开通电压会给+15V,为了可靠关断,关断电压会给一个负值,大约-10V左右即可。三菱的IGBT较特殊,它是零压开通
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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导通和截止,取决于阀值电压,阀值电压是导通和截止的本条件,一般正负5V;
如果让IGBT的导通状态是出于饱和导通,电压一般是正负15V。
guli123142 | 2012-05-18
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一般的IGBT是正电压开通,零电压关断,一般情况下,门极开通电压会给+15V,为了可靠关断,关断电压会给一个负值,大约-10V左右即可。三菱的IGBT较特殊,它是零压开通
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