Question

模拟电子技术中的三极管、饱和管压降和Uces是指什么概念？

Answer 1

不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必...

Answer 2

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
工程中，其实饱和和放大的边界远没有那么清楚，是一个很模糊的概念，对于小功率管而言，基本上UCE=1V开始，就逐步进入饱和区了，UCE越小，饱和程度越深。到了UCES后，就完全进入饱和状态了，但是饱和程度还可以继续加深，小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右，这时候可以说是深度饱和了。
UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用，可以计算功率管自身管耗，进而计算效率。
把追问也回答好吧。
你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流，但对于饱和区来说，这个电流还不是最大的基极电流。