Question

cmos电路中的完整器件通常并不是做在体硅上

Answer 1

CMOS 电路中的完整器件通常并不是做在体硅上，而是做在一层很薄(2~4 (m)的轻掺杂外延层上，目的是( A、B、D )。

A. 避免闩锁效应 B. 提供控制杂质浓度分布的方法。

C. 形成SOI隔离结构 D. 使器件具有较好介质完整性与较小漏电流。

所谓的漏极，就相当于漏出电子的开口；而中间的栅极，就像控制开关一样：一方面通过控制在栅极施加的高电平电压，使源漏之间出现沟道，电子通过沟道从源极流向漏极，电流的方向也就是从漏到源了，从而进行导电，也就是“开关”打开的的时候（由于是形成的N沟道，也就是电子导电，因此成为N型CMOS）。