MOSFET是一种应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
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MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,是一种可以使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
功率MOSFET则指处于功率输出级MOSFET器件,通常工作电流大于1A。由于功率器件的分类方式多样,且各分类方式的分类逻辑并不存在上下包含的关系,因此在这里我们从驱动方式、可控性、载流子类型这三个分类维度将功率MOSFET定义为电压驱动的全控式单极型功率器件。
由于功率MOSFET往往追求高频率与低功耗,且多用作开关器件,因此N沟道增强型是大多数功率MOSFET的选择。功率MOSFET自1976年诞生以来,不断面对着社会电气化程度的提 高所带来的对于功率半导体的更高性能需求。对于功率MOSFET而言,主要的性能提 升方向包括三个方面:更高的频率、更高的输出功率以及更低的功耗。
为了实现更高的性能指标,功率MOSFET主要经历了制程缩小、技 术变化、工艺进步与材料迭代这4个层次的演进过程,其中由于功率MOSFET更需要功率处理能力而非运算速度,因此制程缩小这一层次的演进已在2000年左右基本上终结了,但其他的3个层次的演进仍在帮助功率MOSFET不断追求着更高的功率密度与更低的功耗。
功率MOSFET则指处于功率输出级MOSFET器件,通常工作电流大于1A。由于功率器件的分类方式多样,且各分类方式的分类逻辑并不存在上下包含的关系,因此在这里我们从驱动方式、可控性、载流子类型这三个分类维度将功率MOSFET定义为电压驱动的全控式单极型功率器件。
由于功率MOSFET往往追求高频率与低功耗,且多用作开关器件,因此N沟道增强型是大多数功率MOSFET的选择。功率MOSFET自1976年诞生以来,不断面对着社会电气化程度的提 高所带来的对于功率半导体的更高性能需求。对于功率MOSFET而言,主要的性能提 升方向包括三个方面:更高的频率、更高的输出功率以及更低的功耗。
为了实现更高的性能指标,功率MOSFET主要经历了制程缩小、技 术变化、工艺进步与材料迭代这4个层次的演进过程,其中由于功率MOSFET更需要功率处理能力而非运算速度,因此制程缩小这一层次的演进已在2000年左右基本上终结了,但其他的3个层次的演进仍在帮助功率MOSFET不断追求着更高的功率密度与更低的功耗。
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