霍尔元件基本参数及磁场分布的测量

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霍尔元件基本参数及磁场分布的测量:

霍尔元件是一种半导体磁电器件,它是利用霍尔效应来进行工作的。早在1879年人们就在金属中发现了霍尔效应,1910年就有人用铋制成了霍尔元件,用以测量磁场。但由于这种效应在金属中十分微弱,当时并没有引起什么重视。

1948年后,由于半导体技术的迅速发展,人们找到了霍尔效应较为显著的半导体材料——锗,接着,在1958年前后,人们又对化合物半导体——锑化铟、砷化铟进行了大量的研究,并制成了较为满意的元件。这时霍尔效应以及它所具有的广泛的应用才受到了人们普遍的重视。

霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高,耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。

霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。

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