Question

三极管的导通条件？

很多电路需要大概的分析的时候，只是需要Ub>0就行了（很多时候老师都是这么大概分析的，这个时候就默认三极管导通了）；但是很多时候又需要Uc>Ub>Ue（NPN型放大）；有时又要求Ub>Ue,Ub>Uc（NPN饱和导通）。

到底要怎么看啊，各位大神求解。

Answer 1

三极管的导通条件
1.截止区：
其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
2.放大区：
其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE>UON且UCE>=UBE （即UC>UB>UE）。此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，表现出IB 对 iC的控制作用，IC=?IB。在理想情况下，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。（简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.）
3.饱和区：
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE>UON且 UCE<UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC<?IB。在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。

Answer 2

对于NPN型三极管，一般的处于放大区的条件是Uc>Ub>Ue，并且Ub和Ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压。虽然放大区也有很小一块区域是Uc＜Ub，但那已经极其接近饱和区了（当然饱和也是一种导通状态），一般工作在放大状态下的三极管在设计上不使它进入那个区域。
对于PNP型三极管，情况正好相反，处于放大区的条件是Uc＜Ub＜Ue，Ub和Ue之间的电压差同样要大于发射结的初始导通电压。

Answer 3

Uc>Ub>Ue，这样比较靠谱。

Answer 4

对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.
要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub.
开关可以使用1300系列三极管，当信号用放大可以8050，8550三级管....

Answer 5

I=(3E)/(3r)=E/r，电流为逆时针方向根据霍尔效应UAB=Ir-E=0UAC=E-Ir=0故UB=UA=UC=0