MOS管 二极管 PN结
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1.P型:Positive,P+,多子为空穴+;
N型:Negitive,N-,多子为电子-;
2.图形符号:箭头永远为P指向N,与虚线的交点处是什么就是什么型MOS;
3.为什么叫反型层?
因为对NMOS而言,衬底为P型硅,P为多子,但是当UGS》0时,在衬底与栅极接触面会形成薄薄的N型薄层,叫做P型衬底的反型层。
4.什么是PN结?
5.PN结的正接与反接?
P(+)接正极,N(-)接负极为正接,反之为反接。
扩散电流才是主流;漂移电流即为反向电流,随温度变化而急剧变化。
6.二极管和PN结关系?
二极管由PN结加上引线和管壳组成。
7.本专栏另一篇文章是讲绝缘栅型场效应管IGFET,绝缘指的是栅极与沟道之间处于绝缘状态。
8.具体N或P沟道理解:沟道就是反型层,即少子形成的导电层。以N沟道为例,N沟道说明N为少子,P为多子,所以P为基底,两侧N为源极或漏极。P沟道理解与此相似。
9.耗尽型或增强型理解:
增强型:UGS=0时,无导电沟道;加电UGSth后,形成导电沟道。
耗尽型:UGS=0时,管内已建立沟道,加上漏源电压后,便会产生漏极电流ID。加上适当极性的UGS,ID就逐渐减小(耗尽)。
10.耗尽层就是指PN结的空间电荷区。
N型:Negitive,N-,多子为电子-;
2.图形符号:箭头永远为P指向N,与虚线的交点处是什么就是什么型MOS;
3.为什么叫反型层?
因为对NMOS而言,衬底为P型硅,P为多子,但是当UGS》0时,在衬底与栅极接触面会形成薄薄的N型薄层,叫做P型衬底的反型层。
4.什么是PN结?
5.PN结的正接与反接?
P(+)接正极,N(-)接负极为正接,反之为反接。
扩散电流才是主流;漂移电流即为反向电流,随温度变化而急剧变化。
6.二极管和PN结关系?
二极管由PN结加上引线和管壳组成。
7.本专栏另一篇文章是讲绝缘栅型场效应管IGFET,绝缘指的是栅极与沟道之间处于绝缘状态。
8.具体N或P沟道理解:沟道就是反型层,即少子形成的导电层。以N沟道为例,N沟道说明N为少子,P为多子,所以P为基底,两侧N为源极或漏极。P沟道理解与此相似。
9.耗尽型或增强型理解:
增强型:UGS=0时,无导电沟道;加电UGSth后,形成导电沟道。
耗尽型:UGS=0时,管内已建立沟道,加上漏源电压后,便会产生漏极电流ID。加上适当极性的UGS,ID就逐渐减小(耗尽)。
10.耗尽层就是指PN结的空间电荷区。
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