静态工作点Q对电路性能有什么影响？
静态工作点Q的设置不当会影响放大电路的性能。如果点Q过高，当I按照正弦规律变化时，Q＇进入饱和区，导致I和Uce的波形和IP（或u；）。不匹配的波形，输出电压u0为（uce）平顶畸变的负半周，称为饱和畸变。
如果Q点过低，则Q”进入截止区，输出电压u0正半周出现平顶畸变，称为截止畸变。饱和畸变和截止畸变统称为非线性畸变。
温度对Q点的影响：当晶体管的环境温度升高时，晶体管中载流子的运动增强，因此放大电路中的参数也随之改变。
扩展资料：
静态工作点功能：确定放大电路电压、电流的静态值；选择合适的静态工作点可以防止电路的非线性失真。良好的放大是有保证的。
1、静工作点的确定：
静态工作点是晶体管直流负载线与输出特性曲线的交点。静态操作点根据IB沿直流负载线上下移动。
根据公式Uce＝Ucc－rcic，在Ic／Ucc图上画出直流负载线，然后在IB条件下画出晶体管输出特性曲线。交点为静态工作点。
2、静态工作点的必要性：
为了使晶体管在放大状态下工作，有必要使晶体管的集电极结反偏置、正偏置。我们需要在两极之间放置合适的偏置电路，也就是为晶体管设置合适的静态工作点。而所谓静态工作点，就是在没有输入信号的情况下，由直流电源单独对三极管上的电压或电流，就有一个基电流IB。
集电极电流IC，发射极结电压UBE，和电子管电压降UCE，一共是四个物理量，而我们在实际应用中，往往记住的发射结电压已知，是0．7V的硅管，0．2V的锗管，其实这是一个近似值。
这是因为晶体管的发射结相当于一个二极管，为了使输入信号全部变为，只有输入电压大于其开启电压，一般约为0．7硅管，锗管为0．2V。
而在实践中，被放大的信号通常很小，如果直接输入晶体管的基础，恐怕不足以使三极管导通，这就需要我们前进基地潜在的抬高，使三极管的发射极结传导状态（发射结部分），输入小信号的弱到三极管的内部。
为了使晶体管正确地放大信号，我们必须为它设置一个合适的静态工作点。这对于设置输入的静态工作点是必要的。
参考资料：静态工作点_百度百科
