某DRAM芯片,其存储容量为512K×8位,该芯片的地址线和数据线的数目是?
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该芯片具有10条地址线和8条数据线。
由于该DRAM芯片存储容量为512K×8位,故其数据存储最小单位为8位,即一个字节,故其数据线总共需要8位数据线,即8条数据线,通常位D(0)~D(7)。
同时可知存储器的字量位512K,由2^19=524,288=512K,故此处可以使用19条地址顺序表示DRAM的地址。
但DRAM内部存储单元多采用行列结构,即地址线分时复用传输行列信号,故地址线数目应缩减为10条地址线。此时地址取值存在冗余。
DRAN内部存储单元结构如下图:
扩展资料
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器。 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)
DRAM的存储结构采用二维矩阵结构使DRAM的地址数据读入需要分为行地址数据和列地址数据两部分,通过MCU产生的信号和DRAM内部的寄存器进行配置。
DRAM的这种结构和行列地址线的分时工作极大地提高了DRAM地址线的利用率和DRAM的集成度,大大减少了DRAM的引脚数。
参考资料:DRAM_百度百科
鸿芯微组
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