Question

mos参数问题

irf540n的参数:1.电压 @ Rds测量:10V
2.电压 @ Rds测量:10V
3.电压, Vgs 最高:4V
4.电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
5.电压, Vds 典型值:100V

这些参数分别指的是什么意思？谢谢

用mos做高端驱动时栅极电压要大于源极电压4-10v。那是不是如果源极电压为50v，那么栅极电压就要54-60v吗？这栅极电压没有什么最大电压限制吗？大家帮帮我这菜鸟，谢谢！

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Answer 1

首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；
P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；

参数说明：
1&2 问题不全；
3 栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；
4 栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；
5 漏极对源极的耐受电压为100V。

追问

如果用作高端驱动，那么栅极电压要为多少。

追答

强调：N-MOS导通条件是Vgs(栅极相对源极的电压差)≥4V且＜最大值（10V）;
如果用作高端驱动，源极跟着接负载，源极对地的电压即为负载的电压(Vload)；
此时N-MOS的导通电压则必须为负载电压（Vload+4)V，但必须注意必须不能超过耐受电压10V。
事实是，这个电压很容易超过耐受电压，且还不能直接用IO口直接驱动，需要加电平转换电路。