为什么 Si MOSFET的驱动电压是正负15V,而SiC MOSFET的驱动电压范围为-2或者-5到+15

而在制造商提供的手册里,额定的门极电压范围是正负20V之间,这些门极电路的区别在那里?谢谢... 而在制造商提供的手册里,额定的门极电压范围是正负20V之间,这些门极电路的区别在那里?谢谢 展开
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百度网友9b8cda8
推荐于2018-05-09
知道答主
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大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20,而SiC通常有更小的负压限制,比如这个SIC管子,GS正压最大值25而负压-10。实验中为了可靠关断,可以加一定的负压(实际实验中还会有开通关断瞬时振荡),但负压如果超过了最大值(这个管子是-10伏)可能会损坏管子。因此一般加负压时留一定的裕量。

牛X何必要网名
2016-06-01
知道答主
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一般Si-MOSFET的驱动是0~15V,是因为MOSFET运用场合电压等级较低,如果电压等级高也要加负压关断。SiC-MOSFET耐压等级高,加负压是为了可靠关断,防止误导通的
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小扯个淡
2015-06-25 · 超过16用户采纳过TA的回答
知道答主
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驱动电压的高低,对开关管导通损耗以及开关损耗都有着影响,SiC MOSFET需要反偏电压使开关管快速关断,但一般不宜低于-6V。
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