求解释一些MOS管驱动电压
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过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。
1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。
2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。
3)如果能够更加深入理解的话,可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs,也适用于指代Vgd。即
Vod1=Vgs-Vth;
Vod2=Vds-Vth;
如果两种Vod都大于零,说明晶体管沟道全开,也就是处于线性区。只有一种Vod大于零,说明晶体管沟道半开(在DS任意一端没打开有夹断),也就是处于饱和区。
1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。
2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。
3)如果能够更加深入理解的话,可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs,也适用于指代Vgd。即
Vod1=Vgs-Vth;
Vod2=Vds-Vth;
如果两种Vod都大于零,说明晶体管沟道全开,也就是处于线性区。只有一种Vod大于零,说明晶体管沟道半开(在DS任意一端没打开有夹断),也就是处于饱和区。
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GamryRaman
2023-06-12 广告
2023-06-12 广告
从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容,这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道,电容从零电压充电到额定电压是需要时间的,电容容值越大所需的充电时间就越长。在开关电路(比如电机驱动电路)中我们...
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本回答由GamryRaman提供
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