电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点 我来答 可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。 电力电子技术 mosfet scr gto gtr 搜索资料 1个回答 #热议# 为什么有人显老,有人显年轻? 中华之星zzz 推荐于2017-09-10 知道答主 回答量:3 采纳率:0% 帮助的人:2.7万 我也去答题访问个人页 关注 展开全部 都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号,可以设置相应的占空比,如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲,为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V,如果设置触发延迟角α为45度,只需将相位延迟参数设置为2.5ms,可以根据需要自己设置触发角,不同的电路可能还要设置相应的死区时间,即要留有一定裕度,防止误导通。 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论 收起 推荐律师服务: 若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询 其他类似问题 2021-10-24 电力电子技术问题 SCR GTO GTR IGBT MOSFET 对触发脉冲要求的异同点 2022-09-28 SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点 2020-06-09 SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点 9 更多类似问题 > 为你推荐: