Question

霍尔元件产生的霍尔电压为

Answer 1

霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等.

霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。

霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。

霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。采用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。

霍尔电位差UH的基本关系为[1]

UH=RHIB/d（18）

RH=1/nq（金属）（19）

式中RH——霍尔系数：

n——单位体积内载流子或自由电子的个数

q——电子电量；

I——通过的电流；B——垂直于I的磁感应强度；

d——导体的厚度。

对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（19）不同，此处从略。

由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。

霍尔元件应用霍尔效应的半导体。

Answer 2

霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱材料等等.

Answer 3

霍尔电压为mv

Answer 4

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Answer 5

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