杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

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xmx028
推荐于2017-12-15 · TA获得超过3956个赞
知道小有建树答主
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本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多(随温度而指数函数式增大)。
但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子;这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子。
中科雷鸣
2024-11-08 广告
硫化镉量子点是由硫化镉(CdS)组成的纳米颗粒,通常直径在几纳米至十几纳米之间,是一种典型的半导体材料。它因具有优异的光学和电学性质,在光电子器件如太阳能电池、发光二极管(LED)和光电探测器等领域有重要应用。同时,硫化镉量子点还因其优异的... 点击进入详情页
本回答由中科雷鸣提供
匿名用户
2010-05-04
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掺杂的杂质粒子电离后产生多子,少子是本征激发产生。少子浓度与多子浓度之积为一恒定值
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