场效应管衬底与源极短接和直接接地有什么区别
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以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。当栅极电压Vgs大于某一临界位以后，便可以感应出足够的负电荷，在衬底的上表面形成一个N型层(也称为反型层，因为它处于P型衬底的半导体中)，从而把源极S与漏极D连接起来，如图所示,我们把这一个反型层称为导电沟道，把开始形成导电沟道所需的Vgs称为开启电压(夹断电压同理)，记为Ut。随着Vgs的增大，导电沟通也随之加宽。
请看下图的场效应管特性曲线，变量是Vgs。Vgs变化导致栅极和衬底的电压变化，从而改变导电沟通，即改变了三极管的工作点。
若场效应管衬底直接接地，源极悬空或者不接地，Vgs和栅极衬底电压的关系也会改变（开始形成导电沟道所需的Vgs也不一定是Ut了），会影响三极管的工作特性
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