如图所示的平行板器件中,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁场的磁感应强度B1=0.20T,方向垂直纸面向
如图所示的平行板器件中,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁场的磁感应强度B1=0.20T,方向垂直纸面向里,电场强度E1=1.0×105V/m,PQ为板间中线.紧靠平行...
如图所示的平行板器件中,存在相互垂直的匀强磁场和匀强电场,磁场的磁感应强度B1=0.20T,方向垂直纸面向里,电场强度E1=1.0×105V/m,PQ为板间中线.紧靠平行板右侧边缘xOy坐标系的第一象限内,有一边界线AO,与y轴的夹角∠AOy=45°,边界线的上方有垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度B2=0.25T,边界线的下方有竖直向上的匀强电场,电场强度E2=5.0×105V/m.一束带电荷量q=8.0×10-19C、质量m=8.0×10-26kg的正离子从P点射入平行板间,沿中线PQ做直线运动,穿出平行板后从y轴上坐标为(0,0.4m)的Q点垂直y轴射入磁场区,多次穿越边界线OA.求:(不计离子重力)(1)离子运动的速度;(2)离子从进入磁场到第二次穿越边界线OA所需的时间;(3)离子第四次穿越边界线的位置坐标.
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解答:解:(1)设离子的速度大小为v,由于沿中线PQ做直线运动,则有:qE1=qvB1,
代入数据解得:v=5×105 m/s,
(2)离子进入磁场,做匀速圆周运动,由牛顿第二定律有:qvB2=m
解得:r=0.2 m,
作出离子的运动轨迹,交OA边界于N,如图所示:OQ=2r,
若磁场无边界,一定通过O点,则圆弧QN的圆周角为45°,
则轨迹圆弧的圆心角为θ=90°,过N点做圆弧切线,方向竖直向下,
离子垂直电场线进入电场,做匀减速运动,
离子在磁场中运动为:t1=
=
=2π×10?7s
而离子在电场中来回运动时间为:t2=2×
=2×
s=2×10-7s
所以离子从进入磁场到第二次穿越边界线OA所需的时间为:t=t1+t2=(2π+2)×10-7s=8.3×10-7s
(3)离子当再次进入磁场后,根据左手定则,可知洛伦兹力水平向右,导致离子向右做匀速圆弧运动,恰好完成
,当离子再次进入电场后,做类平抛运动,由题意可知,类平抛运动的速度的方向位移与加速度的方向的位移相等,根据运动学公式,则有:vt3=
a
,
解得:t3=2×10-7s
因此离子沿着速度的方向的位移为:x=vt3=0.1m,
所以离子第四次穿越边界线的x轴的位移为:0.2m+0.2m+0.1m=0.5m,
则离子第四次穿越边界线的位置的坐标为(0.5m,0.5m)
答案:(1)离子在平行板间运动的速度大小5.0×105 m/s.
(2)离子从进入磁场到第二次穿越边界线OA所需的时间为8.3×10-7s.
(3)离子第四次穿越边界线的位置坐标(0.5m,0.5m).
代入数据解得:v=5×105 m/s,
(2)离子进入磁场,做匀速圆周运动,由牛顿第二定律有:qvB2=m
v2 |
r |
解得:r=0.2 m,
作出离子的运动轨迹,交OA边界于N,如图所示:OQ=2r,
若磁场无边界,一定通过O点,则圆弧QN的圆周角为45°,
则轨迹圆弧的圆心角为θ=90°,过N点做圆弧切线,方向竖直向下,
离子垂直电场线进入电场,做匀减速运动,
离子在磁场中运动为:t1=
T |
4 |
πm |
2Bq |
而离子在电场中来回运动时间为:t2=2×
v |
a |
5×105 | ||
|
所以离子从进入磁场到第二次穿越边界线OA所需的时间为:t=t1+t2=(2π+2)×10-7s=8.3×10-7s
(3)离子当再次进入磁场后,根据左手定则,可知洛伦兹力水平向右,导致离子向右做匀速圆弧运动,恰好完成
1 |
4 |
1 |
2 |
t | 2 3 |
解得:t3=2×10-7s
因此离子沿着速度的方向的位移为:x=vt3=0.1m,
所以离子第四次穿越边界线的x轴的位移为:0.2m+0.2m+0.1m=0.5m,
则离子第四次穿越边界线的位置的坐标为(0.5m,0.5m)
答案:(1)离子在平行板间运动的速度大小5.0×105 m/s.
(2)离子从进入磁场到第二次穿越边界线OA所需的时间为8.3×10-7s.
(3)离子第四次穿越边界线的位置坐标(0.5m,0.5m).
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