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溅射镀膜有多种方式。按电极结构分类,即根据电极结构、电极的相对位置及溅射镀膜的过程,可以分为直流二极溅射、直流三极溅射、直流四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、ECR溅射等。
溅射镀膜种类及特点
序号溅射方式溅射电源Ar气压/Pa特点
1二极溅射DC1-7kv,0.15-1.5mA/cm2
RF0.3-10kw1-10w/cm2
1.33(10-2)
构造简单,在大面积的基板上可以制取均匀
的薄膜,放电电流流陌气压和电压的变化而
变化
2三极溅射或
四极溅射
DC0-2kv
RF0-1kw
6.65*10-2-1.33*10-1
(5*10-4-1*10-3)
可实现低气压、低电压溅射,放电电流和轰
击靶的离子能量可独立调节控制。可自动控
制靶的电流。也可进行射频溅射
3磁控溅射0.2-1kv3-30w/cm210-10-6在与靶表面平等的方向上施加磁场,利用电场和磁声相互垂直的磁控管原理减少电子对基板的轰击(降低基板温度)。使高速溅射成为可能。对Cu来说,溅射沉积速率为1.8um/min时,温升为2度/um。Cu的自溅射可在10-6Pa的低压下进行
4对向靶溅射可采用磁控靶DC或
溅射镀膜种类及特点
序号溅射方式溅射电源Ar气压/Pa特点
1二极溅射DC1-7kv,0.15-1.5mA/cm2
RF0.3-10kw1-10w/cm2
1.33(10-2)
构造简单,在大面积的基板上可以制取均匀
的薄膜,放电电流流陌气压和电压的变化而
变化
2三极溅射或
四极溅射
DC0-2kv
RF0-1kw
6.65*10-2-1.33*10-1
(5*10-4-1*10-3)
可实现低气压、低电压溅射,放电电流和轰
击靶的离子能量可独立调节控制。可自动控
制靶的电流。也可进行射频溅射
3磁控溅射0.2-1kv3-30w/cm210-10-6在与靶表面平等的方向上施加磁场,利用电场和磁声相互垂直的磁控管原理减少电子对基板的轰击(降低基板温度)。使高速溅射成为可能。对Cu来说,溅射沉积速率为1.8um/min时,温升为2度/um。Cu的自溅射可在10-6Pa的低压下进行
4对向靶溅射可采用磁控靶DC或
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