固态硬盘SSD解析 SLC,MLC和TLC三者的区别是什么?

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passpasspassR
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SLC,MLC和TLC三者的区别如下:

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命。

TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。

1、与SLC比较MLC的优势:

签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。

与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大。如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升。

2、与SLC比较MLC的缺点:

MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入。

其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。

再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。

虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

3、TLC优势与劣势:

TLC NAND闪存是固态NAND快闪存储器的一种。它的数据存储量是SLC存储器的三倍,是MLC存储器的1.5倍。最重要的是,TLC闪存更实惠。然而,它读取和写入数据的速度比SLC或MLC要慢一些。

啃芝士
2020-12-26 · TA获得超过1027个赞
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固态硬盘的SLC MLC TLC QLC有啥区别?3D NAND又是啥?

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斋唱6T
2018-01-13 · TA获得超过2万个赞
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        SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的,区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程,要么不编程,状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特,状态就有四种00、01、10、11,电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特,状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。

SLC=Single-LevelCell,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。

MLC=Multi-LevelCell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命。

        TLC=Trinary-LevelCell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度相对慢寿命相对短,价格便宜,约500次擦写寿命

简单地说SLC的性能最优,价格超高。一般用作企业级或高端发烧友。MLC性能够用,价格适中为消费级SSD应用主流,TLC综合性能最低,价格最便宜。但可以通过高性能主控、主控算法来弥补、提高TLC闪存的性能。
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