试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中,靠近漏极的导电沟道较窄,而靠近源极较宽?
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【答案】:当UGS>UGS(th)时,在源极与漏极间形成了自由电子导电沟道(反型层),在漏极电源ED的作用下,这些载流子由源极向漏极扩散,而源极区的自由电子不断向沟道内扩散,在靠近漏极的沟道内,自由电子则漂移到漏极的沟道内被电源吸收,所以靠源极附近沟道自由电子多,沟道宽,而靠近漏极的沟道内自由电子少,沟道窄。自由电子在沟道内扩散形成了梯度,所以沟道从源极到漏极是由宽到窄逐渐变化的。图略。
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