Question

nmos和pmos晶体管的阈值电压分别是多少？估计值

Answer 1

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。

MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。

在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈值电压。从使用角度讲，希望阈值电压Vm小一些好。阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。

扩展资料：

对于理想的增强型MOSFET（即系统中不含有任何电荷状态，在栅电压Vgs = 0时，半导体表面的能带为平带状态）。

阈值电压可给出为VT = ( SiO2层上的电压Vi ) + 2ψb = －[2εεo q Na ( 2ψb )] / Ci + 2ψb ,式中Vi ≈ (耗尽层电荷Qb) / Ci，Qb =－( 2εεo q Na [ 2ψb ] )，Ci是单位面积的SiO2电容，ψb是半导体的Fermi势（等于本征Fermi能级Ei与Ef之差）。

参考资料：百度百科-晶体管阈值电压

Answer 2

NMOS晶体管的工作原理： 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二...

Answer 3

不同工艺下的MOS管的阈值电压Vth是不同的，而且即使是同样的工艺，由于存在衬偏效应、短沟道效应在不同的工作条件下的阈值电压也是有区别的。
目前的工艺水平一般都是在几百毫伏，例如TSMC180nm的工艺，NMOS的Vth是475mV，PMOS的Vth是449mV。
具体的你可以自己仿一下，或者看一下具体工艺的说明文档。

Answer 4

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V