Question

NAND flash和NOR flash的区别详解

Answer 1

nandflash和norflash的区别如下：

1、开发的公司不同：

NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace）。

Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

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2、存储单元关系的不同：

两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。

3、擦除操作的不同：

NANDFLASH执行擦除操作是十分简单的，而NORFLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NORFLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NANDFLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

参考资料来源：/baike.baidu.com/item/Nand%20flash/4883033?fr=aladdin"target="_blank"title="百度百科-Nandflash">百度百科-Nandflash

参考资料来源：/baike.baidu.com/item/NOR%20Flash"target="_blank"title="百度百科-NORFlash">百度百科-NORFlash

Answer 2

NORflash启动：NORFLASH是intel公司推出的一款总线型FLASH存储器，在烧写bootloader的时候从地址0x00000000开始烧写，当系统复位后，由于是总线形式，所以能直接启动bootloader，然后启动内核、文件系统，但是直接在NORflash上运行，速度和大小都收到了限制，所以一般还是把采用RAM引导，NORflash存储的方式。NANDflash启动：NANDFLASH与NORFLASH不同，采用的非总线接口，不能通过总线寻址，不支持片上执行，因此需要进行一步中转读入SDRAM才可以运行。S3C2440中一片4K的静态RAM，即SRAM，在启动阶段，把NANDFLASH的前4K拷贝到SRAM中，程序从SRAM的开始地址启动bootloader程序。在NORFLASH中对于bank0-bank5，是FLASH的映射地址，地址从0x00000000开始映射；对于NANDFLASH而言，bank0-bank5，是SROM的空间，NANDFLASH是非总线形式，所以不能直接映射，只能通过COPY操作，拷贝到bank6上的SDRAM上去。