Question

PN结加电压大的时候，比如P半导体向N半导体注入大量的空穴那么N半导体会产生相应的电子吗？

Answer 1

不会，空穴会和N半导体内的电子复合二消失
模型是这样的
在半导体内时刻都有电子激发到导带，在价带留下空穴。
本征半导体的时候，没有多余的空穴，所以激发后电子和空穴数目相同，并达到一个平衡数目ni
N型半导体，电子多空穴少，所以价带电子比导带空穴多，所以电子激发到导带产生空穴的几率大大降低，所以空穴数目变少了很多，但是还是有一个平衡，就是np=ni^2
你这个时候注入了大量的空穴，本来的平衡被打破了，电子要复合掉多出来的空穴，是平衡重新维持在np=ni^2
举个例子，比如平衡时候ni=1×10^10，n=1×10^14，p=1×10^6
这个时候大量空穴注入，p浓度增加p=1×10^8，所以n会有1×10^8-1×10^6=9.9×10^7的电子出来把多余的p复合掉，这个时候电子数目变为n=1×10^14-(1×10^8-1×10^6)=1×10^14-9.9×10^7≈1×10^14
电子数目几乎不变。

Answer 2

首先，你是有PN结，那两区就形成一个内建电场。所以1、P型半导体中空穴是多子，很难跨越PN结到达N型半导体区域；而电子就能顺利的从P区跨越PN结到达N区。 当你是有一个大的外加电场，且是电场方向与PN结相反，也很难让P型半导体中的空穴注入到N型半导体中，因为PN结的等效电路是一个二极管，反向电阻很大，即很难得到P型半导体向N半导体注入大量空穴的现象，也更不会在N半导体产生相应的电子。
若你PN结未形成时，则可向N半导体大量注入掺杂的三价主族元素Al等，经浓度扩散后，形成一个多空穴的P区，从而使PN结形成。
能带理论中，光生载流子中的空穴和电子，都是成对产生的，不是一个先产生，一个后产生，也不会单独产生。