英特尔ivy bridge与现在的sandy bridge差距大吗?与AMD的推土机呢
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ivy bridge的微架构跟sandy bridge基本一样,改动很小,主要是优化,相对于sandy bridge,每时钟性能提升4~6%。而sandy bridge 相对于上一代westmere每时钟性能提升10~20%。
但是ivy bridge的工艺提升到22nm,而且是3-d三栅极晶体管的22nm。22nm,相同的晶片面积,晶体管集成度提高了20%(以四核处理器为例,从11.6亿提升到14亿),性能以自然提升20%,加上每时钟的4~6%,则总共是25%左右的提升。而3d 三栅极晶体管的工艺则可以减少漏电率,降低功耗,同样的芯片面积,发热量只有sandy bridge 的70~80%(即性能提高了25%而热量还少20~30%),发热跟功耗成正比,今后笔记本可以随便装四核处理器而不用担心散热了。而按照现在的散热标准,同样大小的笔记本,可以将性能比现在高70%左右的CPU装进那样尺寸的笔记本而不用担心散热问题。
不过对于游戏玩家,意义并不是很大,因为ivy bridge 的核心显卡比sandy bridge 提升不超过60%,还赶不上gt335M和HD5650这样的目前已经快淘汰的主流独立移动显卡,要是能跟独立显卡交火还差不多。
对于游戏玩家,还是AMD南方群岛和Nvidia的开普勒更有盼头(都是28nm显卡),估计快了,年底有望,比ivy bridge应该要早一些。
因为今年出sandy bridge 出了个缺陷门,ivy bridge也跟着跳票了,要明年3月才会面世。
AMD推土机一直在跳票,据说也是明年3月,具体性能不可知晓,据之前的 工程版样品,推土机性能不太乐观。
ivy bridge 的ES样品已经出来了,测评绝对是真实的,但样品性能不佳,频率低,也没体现出22nm 3d三栅极晶体管的优势(应该是因为不成熟的缘故),但能看出来,同频率的确比sandybridge 快5%左右。
但是ivy bridge的工艺提升到22nm,而且是3-d三栅极晶体管的22nm。22nm,相同的晶片面积,晶体管集成度提高了20%(以四核处理器为例,从11.6亿提升到14亿),性能以自然提升20%,加上每时钟的4~6%,则总共是25%左右的提升。而3d 三栅极晶体管的工艺则可以减少漏电率,降低功耗,同样的芯片面积,发热量只有sandy bridge 的70~80%(即性能提高了25%而热量还少20~30%),发热跟功耗成正比,今后笔记本可以随便装四核处理器而不用担心散热了。而按照现在的散热标准,同样大小的笔记本,可以将性能比现在高70%左右的CPU装进那样尺寸的笔记本而不用担心散热问题。
不过对于游戏玩家,意义并不是很大,因为ivy bridge 的核心显卡比sandy bridge 提升不超过60%,还赶不上gt335M和HD5650这样的目前已经快淘汰的主流独立移动显卡,要是能跟独立显卡交火还差不多。
对于游戏玩家,还是AMD南方群岛和Nvidia的开普勒更有盼头(都是28nm显卡),估计快了,年底有望,比ivy bridge应该要早一些。
因为今年出sandy bridge 出了个缺陷门,ivy bridge也跟着跳票了,要明年3月才会面世。
AMD推土机一直在跳票,据说也是明年3月,具体性能不可知晓,据之前的 工程版样品,推土机性能不太乐观。
ivy bridge 的ES样品已经出来了,测评绝对是真实的,但样品性能不佳,频率低,也没体现出22nm 3d三栅极晶体管的优势(应该是因为不成熟的缘故),但能看出来,同频率的确比sandybridge 快5%左右。
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ivy bridge的微架构跟sandy bridge基本一样,改动很小,主要是优化,相对于sandy bridge,每时钟性能提升4~6%。而sandy bridge 相对于上一代westmere每时钟性能提升10~20%。
但是ivy bridge的工艺提升到22nm,而且是3-d三栅极晶体管的22nm。22nm,相同的晶片面积,晶体管集成度提高了20%(以四核处理器为例,从11.6亿提升到14亿),性能以自然提升20%,加上每时钟的4~6%,则总共是25%左右的提升。而3d 三栅极晶体管的工艺则可以减少漏电率,降低功耗,同样的芯片面积,发热量只有sandy bridge 的70~80%(即性能提高了25%而热量还少20~30%),发热跟功耗成正比,今后笔记本可以随便装四核处理器而不用担心散热了。而按照现在的散热标准,同样大小的笔记本,可以将性能比现在高70%左右的CPU装进那样尺寸的笔记本而不用担心散热问题。
不过对于游戏玩家,意义并不是很大,因为ivy bridge 的核心显卡比sandy bridge 提升不超过60%,还赶不上gt335M和HD5650这样的目前已经快淘汰的主流独立移动显卡,要是能跟独立显卡交火还差不多。
对于游戏玩家,还是AMD南方群岛和Nvidia的开普勒更有盼头(都是28nm显卡),估计快了,年底有望,比ivy bridge应该要早一些。
因为今年出sandy bridge 出了个缺陷门,ivy bridge也跟着跳票了,要明年3月才会面世。
AMD推土机一直在跳票,据说也是明年3月,具体性能不可知晓,据之前的 工程版样品,推土机性能不太乐观。
ivy bridge 的ES样品已经出来了,测评绝对是真实的,但样品性能不佳,频率低,也没体现出22nm 3d三栅极晶体管的优势(应该是因为不成熟的缘故),但能看出来,同频率的确比sandybridge 快5%左右。
但是ivy bridge的工艺提升到22nm,而且是3-d三栅极晶体管的22nm。22nm,相同的晶片面积,晶体管集成度提高了20%(以四核处理器为例,从11.6亿提升到14亿),性能以自然提升20%,加上每时钟的4~6%,则总共是25%左右的提升。而3d 三栅极晶体管的工艺则可以减少漏电率,降低功耗,同样的芯片面积,发热量只有sandy bridge 的70~80%(即性能提高了25%而热量还少20~30%),发热跟功耗成正比,今后笔记本可以随便装四核处理器而不用担心散热了。而按照现在的散热标准,同样大小的笔记本,可以将性能比现在高70%左右的CPU装进那样尺寸的笔记本而不用担心散热问题。
不过对于游戏玩家,意义并不是很大,因为ivy bridge 的核心显卡比sandy bridge 提升不超过60%,还赶不上gt335M和HD5650这样的目前已经快淘汰的主流独立移动显卡,要是能跟独立显卡交火还差不多。
对于游戏玩家,还是AMD南方群岛和Nvidia的开普勒更有盼头(都是28nm显卡),估计快了,年底有望,比ivy bridge应该要早一些。
因为今年出sandy bridge 出了个缺陷门,ivy bridge也跟着跳票了,要明年3月才会面世。
AMD推土机一直在跳票,据说也是明年3月,具体性能不可知晓,据之前的 工程版样品,推土机性能不太乐观。
ivy bridge 的ES样品已经出来了,测评绝对是真实的,但样品性能不佳,频率低,也没体现出22nm 3d三栅极晶体管的优势(应该是因为不成熟的缘故),但能看出来,同频率的确比sandybridge 快5%左右。
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除了sandy bridge 现在正在使用。那两个还没出来呢。谁知道啊。半年后上市了,进行评测以后才能知道。
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就是啊 都没有评测 网上的都是猜的
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你们都会有点难过,我的世界里没有你们的士司机的士司机的士司机的士司机
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