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一、离子束溅射的优点
1、溅射镀膜是依靠动量交换作用使固体材料的原子、分子进入气相,溅射出的平均能量10eV,高于真空蒸发粒子的100倍左右,沉积在基体表面上之后,尚有足够的动能在基体表面上迁移,因而薄膜质量较好,与基体结合牢固。
2、任何材料都能溅射镀膜,材料溅射特性差别较其蒸发特性差别小,即使是高熔点材料也能进行溅射,对于合金、靶材化合物材料易制成与靶材组分比例相同的薄膜,因而溅射镀膜的应用非常广泛。
3、溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到,因而其工作压力在10-2Pa~10Pa范围,所以溅射离子在飞到基体之前往往已与真空室内的气体分子发生过碰撞,其运动方向随机偏离原来的方向,而且溅射一般是从较大靶表面积中射出的,因而比真空镀膜得到均匀厚度的膜层,对于具有勾槽、台阶等镀件,能将阴极效应造成膜厚差别减小到可以忽略的程度。但是,较高压力下溅射会使膜中含有较多的气体分子。
4、可以使离子束精确聚焦和扫描,在保持离子束特性不变的情况下,可以变换靶材和基片材料,并且可以独立控制离子束能量和电流。由于可以精确地控制离子束的能量、束流大小与束流方向,而且溅射出的原子可以不经过碰撞过程而直接沉积薄膜,因而离子束溅射方法很适合于作为一种薄膜沉积的研究手段。
4.离子束溅射的缺点
离子束溅射的主要缺点就是轰击到的靶面积太小,沉积速率一般较低。而且,离子束溅射沉积也不适宜沉积厚度均匀的大面积的薄膜。并且溅射装置过于复杂,设备运行成本较高。
1、溅射镀膜是依靠动量交换作用使固体材料的原子、分子进入气相,溅射出的平均能量10eV,高于真空蒸发粒子的100倍左右,沉积在基体表面上之后,尚有足够的动能在基体表面上迁移,因而薄膜质量较好,与基体结合牢固。
2、任何材料都能溅射镀膜,材料溅射特性差别较其蒸发特性差别小,即使是高熔点材料也能进行溅射,对于合金、靶材化合物材料易制成与靶材组分比例相同的薄膜,因而溅射镀膜的应用非常广泛。
3、溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到,因而其工作压力在10-2Pa~10Pa范围,所以溅射离子在飞到基体之前往往已与真空室内的气体分子发生过碰撞,其运动方向随机偏离原来的方向,而且溅射一般是从较大靶表面积中射出的,因而比真空镀膜得到均匀厚度的膜层,对于具有勾槽、台阶等镀件,能将阴极效应造成膜厚差别减小到可以忽略的程度。但是,较高压力下溅射会使膜中含有较多的气体分子。
4、可以使离子束精确聚焦和扫描,在保持离子束特性不变的情况下,可以变换靶材和基片材料,并且可以独立控制离子束能量和电流。由于可以精确地控制离子束的能量、束流大小与束流方向,而且溅射出的原子可以不经过碰撞过程而直接沉积薄膜,因而离子束溅射方法很适合于作为一种薄膜沉积的研究手段。
4.离子束溅射的缺点
离子束溅射的主要缺点就是轰击到的靶面积太小,沉积速率一般较低。而且,离子束溅射沉积也不适宜沉积厚度均匀的大面积的薄膜。并且溅射装置过于复杂,设备运行成本较高。
追问
更适合做什么薄膜材料?
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离子束溅射(Ion Beam Sputtering, IBS)是一种物理气相沉积(PVD)技术,通过使用离子束来轰击目标材料,从而使目标材料的原子或分子被"溅射"出来,并在基板上形成薄膜。这种方法在许多领域中都得到了应用,特别是在制备高质量的光学薄膜和半导体薄膜时。
**离子束溅射的优点包括:**
1. **高质量的薄膜**:离子束溅射可以制备出具有高密度、低缺陷和优良光学性能的薄膜。
2. **薄膜厚度和组成的精确控制**:通过调整离子束的参数,可以精确地控制薄膜的厚度和组成。
3. **适用于多种材料**:离子束溅射可以用于溅射各种类型的目标材料,包括金属、半导体和绝缘体。
4. **薄膜的透明度和抗蚀性**:离子束溅射制备的薄膜具有高的透明度和抗蚀性。
**离子束溅射的缺点包括:**
1. **设备复杂,成本高**:离子束溅射设备通常需要复杂的离子源和高真空系统,因此设备成本较高。
2. **沉积速率较慢**:相比其他PVD技术,如磁控溅射,离子束溅射的沉积速率通常较慢。
3. **可能产生辐射损伤**:离子束可能会对基板或溅射目标产生辐射损伤。
离子束溅射更适合制备高质量的光学薄膜(如反射镜、抗反射膜)、硬膜(如耐磨膜)和半导体薄膜。此外,由于离子束溅射可以用于溅射绝缘体,因此也适用于制备复杂的多元或复合薄膜。
**离子束溅射的优点包括:**
1. **高质量的薄膜**:离子束溅射可以制备出具有高密度、低缺陷和优良光学性能的薄膜。
2. **薄膜厚度和组成的精确控制**:通过调整离子束的参数,可以精确地控制薄膜的厚度和组成。
3. **适用于多种材料**:离子束溅射可以用于溅射各种类型的目标材料,包括金属、半导体和绝缘体。
4. **薄膜的透明度和抗蚀性**:离子束溅射制备的薄膜具有高的透明度和抗蚀性。
**离子束溅射的缺点包括:**
1. **设备复杂,成本高**:离子束溅射设备通常需要复杂的离子源和高真空系统,因此设备成本较高。
2. **沉积速率较慢**:相比其他PVD技术,如磁控溅射,离子束溅射的沉积速率通常较慢。
3. **可能产生辐射损伤**:离子束可能会对基板或溅射目标产生辐射损伤。
离子束溅射更适合制备高质量的光学薄膜(如反射镜、抗反射膜)、硬膜(如耐磨膜)和半导体薄膜。此外,由于离子束溅射可以用于溅射绝缘体,因此也适用于制备复杂的多元或复合薄膜。
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