(2014?大连一模)如图所示,竖直平面内有足够长、不计电阻的两组平行光滑金属导轨,间距均为L,下方连接
(2014?大连一模)如图所示,竖直平面内有足够长、不计电阻的两组平行光滑金属导轨,间距均为L,下方连接一个阻值为r的定值电阻,虚线下方的区域内存在磁感应强度为B的匀强磁...
(2014?大连一模)如图所示,竖直平面内有足够长、不计电阻的两组平行光滑金属导轨,间距均为L,下方连接一个阻值为r的定值电阻,虚线下方的区域内存在磁感应强度为B的匀强磁场.两根完全相同的金属杆1和2靠在导轨上,金属杆长度与导轨宽度相等且与导轨接触良好,电阻均为r、质量均为m.现将金属杆1放在左侧导轨内侧的绝缘支架上,金属杆2从磁场边界上方h0处由静止释放,进入磁场后恰好做匀速运动.若将金属杆2从离开磁场边界上方h(h<h0)处由静止释放,在金属杆2进入磁场后,重力加速度为g,下列说法正确的是( )A.流过电阻r的电流方向为a→bB.回路中感应电动势的最大值为3mgrBLC.金属杆1与绝缘支架的弹力会先减小,后变为零D.稳定后在电阻r上消耗的电功率为3m2g2rB2L2
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A、金属杆2切割磁感线产生感应电流,由右手定则可知,通过电阻r的电流由b流向a,故A错误;
B、金属杆受到的安培力F=BIL=BL
=
,金属杆做匀速直线运动,由平衡条件得:mg=
,
解得:v=
,
回路感应电动势最大值:E=BLv=
,故B正确;
C、h<h0,2进入磁场时的速度变小,2刚进入磁场时受到的安培力小于重力,1与支架的弹力大于零,金属杆2进入磁场后做加速度减小的加速运动,速度逐渐增大,知道运动运动为止,在此过程中1受到的安培力逐渐增大,1与之间的弹力逐渐减小,当2匀速运动时,1与支架的弹力为零,即:金属杆1与绝缘支架的弹力会先减小,后变为零,故C正确;
D、稳定后电阻r上消耗的电功率为P=I2r=(
)2r=
,故D正确;
故选:BCD.
B、金属杆受到的安培力F=BIL=BL
BLv |
3r |
B2L2v |
3r |
B2L2v |
3r |
解得:v=
3mgr |
B2L2 |
回路感应电动势最大值:E=BLv=
3mgr |
BL |
C、h<h0,2进入磁场时的速度变小,2刚进入磁场时受到的安培力小于重力,1与支架的弹力大于零,金属杆2进入磁场后做加速度减小的加速运动,速度逐渐增大,知道运动运动为止,在此过程中1受到的安培力逐渐增大,1与之间的弹力逐渐减小,当2匀速运动时,1与支架的弹力为零,即:金属杆1与绝缘支架的弹力会先减小,后变为零,故C正确;
D、稳定后电阻r上消耗的电功率为P=I2r=(
| ||
3r |
3m2g2r |
B2L2 |
故选:BCD.
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