下列说法错误的是():
下列说法错误的是():A.闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷B.闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和必定为零C.闭合曲面的电通量为零时,曲面...
下列说法错误的是():
A. 闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷
B. 闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和必定为零
C. 闭合曲面的电通量为零时,曲面上各点的电场强度必定为零
D. 闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零
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A. 闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷
B. 闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内电荷的代数和必定为零
C. 闭合曲面的电通量为零时,曲面上各点的电场强度必定为零
D. 闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零
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答案:D 解析:第一步,本题考查科技成就并选错误项。
第二步,CDMA2000是一种3G移动通讯标准,由美国公司为主导提出的。目前韩国为该标准的主导者,并非我国自主研发。因此,选择D选项。
A项:核高基是“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”的简称,是与载人航天、探月工程并列的16个重大科技专项之一,同时也是“十一五规划”的第一个科技课题。B项:汉字激光照排系统为告别铅字印刷开辟了通途,被誉为中国“印刷术第二次发明”。C项:上海超级计算中心成立于2000年,是国内第一个面向社会开放,实现资源共享的高性能计算公共服务平台。
第二步,CDMA2000是一种3G移动通讯标准,由美国公司为主导提出的。目前韩国为该标准的主导者,并非我国自主研发。因此,选择D选项。
A项:核高基是“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”的简称,是与载人航天、探月工程并列的16个重大科技专项之一,同时也是“十一五规划”的第一个科技课题。B项:汉字激光照排系统为告别铅字印刷开辟了通途,被誉为中国“印刷术第二次发明”。C项:上海超级计算中心成立于2000年,是国内第一个面向社会开放,实现资源共享的高性能计算公共服务平台。
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A. 闭合曲面上各点电场强度都为零时,曲面内一定没有电荷
D. 闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零
D. 闭合曲面的电通量不为零时,曲面上任意一点的电场强度都不可能为零
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ACD
A错误,闭合曲面上电场强度为0,只能说明曲面内电荷的代数和为0,不能说曲面内没有电荷。
B正确
C错误,电通量为0,说明曲面内电荷为0,电场强度不一定为0,比如说曲面外有一点电荷。
D错误,电通量不为0,说明曲面内有电荷,但电场强度可能为0,比如曲面外有点电荷。
总结:高斯定理:它表示,电场强度对任意封闭曲面的通量(电通量)只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。
但电场强度却是不分曲面内外的,即:该电场强度是高斯面外或内的电荷共同产生的。所以对高斯面上某一点而言,其受到的内外电场强度可能是等大反向的。即电场强度可能为0.
A错误,闭合曲面上电场强度为0,只能说明曲面内电荷的代数和为0,不能说曲面内没有电荷。
B正确
C错误,电通量为0,说明曲面内电荷为0,电场强度不一定为0,比如说曲面外有一点电荷。
D错误,电通量不为0,说明曲面内有电荷,但电场强度可能为0,比如曲面外有点电荷。
总结:高斯定理:它表示,电场强度对任意封闭曲面的通量(电通量)只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。
但电场强度却是不分曲面内外的,即:该电场强度是高斯面外或内的电荷共同产生的。所以对高斯面上某一点而言,其受到的内外电场强度可能是等大反向的。即电场强度可能为0.
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